600V CoolMOS™ P7

概要

高い効率と使いやすさの最適な組み合わせ

600V CoolMOS™ P7スーパージャンクション（SJ）MOSFETファミリーは、低電力スイッチング電源から最高レベルの電力に至るまで、広い範囲のアプリケーションを対象とした、汎用的なシリーズです

低電力分野では、 600V CoolMOS™ CEの後継品種であり、大電力スイッチング電源アプリケーションでは、600V CoolMOS™ P6の代替品となっており、充電器、アダプタ、照明、テレビ電源、PC電源、太陽光発電、小型軽量電気自動車、サーバ電源、テレコム電源、DC電気自動車（EV）充電などのアプリケーションに最適です。600V CoolMOS™ P7は、使いやすさと優れた効率を両立した、最もバランスの良いインフィニオンのCoolMOS™テクノロジーです。>詳細はこちら

製品

詳細

従来製品と比べると、600V CoolMOS™ P7 SJ MOSFETは、QGおよびEossを大幅に低減し、さらにRDS(on)を最適化しているため、きわめて高い効率と改善された電力密度を実現しています。

注意深く選定された内蔵ゲート抵抗により、リンギングが発生しにくく、また、ハードコミュテーションに対するボディダイオードの優れた堅牢性により、LLCなどのソフトスイッチングだけでなくハードスイッチングにも適しています。

さらに、優れたESD性能という特長により、製造時の品質向上にも役立ちます。600V CoolMOS™ P7は、さまざまなRDS(on)とパッケージとの組み合わせ、さまざまなTHDを提供しており、SMDも選択可能です。RDS(on)は、24mΩ～600mΩの範囲がそろっています。すべての600V CoolMOS™製品は、きわめて競争力のある価格対性能比を備えています。

主な特長

優れたコミュテーションの堅牢性により、ハードスイッチングおよびソフトスイッチング（PFCおよびLLC）に最適
効率と使いやすさの最適なバランス
スイッチング損失および導通損失の大幅な低減により、MOSFET温度低減
全製品について、優れたESD耐性＞2kV（HBM）
競合製品と比べてRDS(on)／パッケージの優れた製品
さまざまな産業用および民生用アプリケーションに適合するように、多数のRDS(on)を用意した広範囲にわたる製品ラインアップ

主な利点

低リンギング性能による使いやすさと迅速なデザインイン、PFCおよびPWM段での利用
低スイッチング損失と低導通損失により効率向上および熱管理を簡素化
2kVを超えるESD耐性により製造品質向上
フットプリント小型化で、より高い電力密度のソリューションを実現t
広範囲にわたるアプリケーションおよび電力レンジに適応

Infineon picture Power MOSFET 600V P7 graph

600V CoolMOS™ P7は、競合製品と比べて、最大1.5%の効率改善、4.2°CのMOSFET温度低減を達成しています。ゲート電荷量QgおよびEossは、従来のCoolMOS™ファミリーや競合製品と比べて30～60%低減しています。これにより、駆動損失およびスイッチング損失が低下し、さまざまな電力クラスにおいて高効率を実現します。さらに、R DS(on)の最適化によって、フットプリントの小型化および電力密度向上が可能になりました。