USB-C アダプターおよび充電器

電力レベルが向上した USB Power Delivery 規格をサポートする USB-C アダプターおよび充電器回路ソリューションをご覧ください。

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概要

高電力密度からコスト/性能比まで、当社のソリューションはお客様のすべての要件を満たします。 マルチポートUSB ハブIC、USB-C 充電モジュール、65W USB など向けのインフィニオンの高品質USB-C PD ソリューションの幅広いポートフォリオにより、複雑さや非互換性を回避し、市場投入までの時間を短縮します。 競争力のあるコストで急速充電設計に存在する障壁を打ち破ります。 今日切り替えてください。

利点

  • 高効率と電力密度
  • High power including EPR
  • マルチポート/li>
  • PDコントローラー<を含む高出力により、マルチポート
  • システムソリューションにより GaN充電器技術 システムレベルのサポート

ブロックダイヤグラム

概要

USB-Cパワーデリバリー (USB-PD) は、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、スマートスピーカー、テレビなどのあらゆるタイプのモバイルデバイスに、統一された高速充電と最大100W の電力を供給するための標準として浮上しています。 最新のUSB-PD Rev3.1規格では、最大充電電力が最大240Wまで増加しています。

インフィニオンの完全な USB-C PD 充電器とその関連システム向けの広範な製品ポートフォリオには、プライマリ スイッチ、SRおよび負荷スイッチ、プライマリ側PWM制御、SRおよびプロトコル制御、ESD保護のソリューションなどがあります。

USB-C はエンドユーザーエクスペリエンスを簡素化し、GaN デバイスの導入とスイッチング周波数の増加と組み合わせることで、よりコンパクトで軽量な充電器とアダプターを可能にします。 ますます多くの相手先ブランド供給 (OEM) が充電器/アダプターをデバイスと一緒に販売しなくなるにつれて、アフターマーケット供給に対するエンドユーザーの需要が高まっています。

1A1Cは、Type-CコネクターとType-Aコネクターを1つずつ備えた充電器を意味し、1A1Cや2C設計などのマルチポート充電器の開発のきっかけとなりました。インフィニオンのEZ-PD™ CCG7DCは、デュアルポートハブに特化して設計された2ポートUSBハブICで、昇降圧コンバーター2つを備え、負荷分散用の完全なプログラマビリティに対応しています。インフィニオンのデュアルポート充電器のリファレンスデザインのアプリケーションノートには、2ポートUSBハブ回路図が詳細に記載されています。さらに、USB-PDの最大出力規格を利用するには、一般的なケーブルが3 Aまでなの対し、最大5 Aまで対応するUSB E-Mark専用ケーブルが必要です。

インフィニオンは、擬似共振 (QR)、ZVS、ハイブリッド フライバック動作に基づき、さまざまな電力レベルと電力密度の要件に対応した、さまざまなUSB-C充電器のリファレンスデザインや、関連USB充電回路図を提供しています。当社の革新的なシングルポートおよびデュアルポートUSB-Cコントローラーはフルプログラマブルのため、特定のType-C充電器やUSB-Cアダプターの設計に合わせて簡単にカスタマイズできます。

USB Type-C 充電器の回路図とUSB 充電器アダプターの回路図は、インフィニオンのシリコンおよびGaNベースの高電圧および低電圧パワースイッチ、USB-PD 電源およびプロトコルコントローラー、USB-Cケーブルマーカーコントローラー、ESD保護デバイスの包括的なポートフォリオを網羅しています。

インフィニオンのリファレンスデザインは、プロトタイプを迅速かつ容易に開発できるため、メーカーは開発コストと市場投入までの時間を短縮しながら、新しい急速充電アダプター技術のメリットを享受できます。 エレクトロニクス業界での数十年の経験により、インフィニオンは製品の効率と性能を損なうことなく、アダプターの小型化のトレンドを推進しています。

USBパワーデリバリー (USD-PD)は、ハードドライブ、プリンター、ラップトップ、大容量のバッテリー容量を備えたスマートフォンなど、より高い電力定格のデバイスを含む、USB-C ポートを備えたデバイスを充電または供給するための普遍的な標準です。 USB-PD 充電器とアダプターは、必要な電力量を供給するため、さまざまなデバイスに電力を供給するために使用できます。 電源とシンクはUSB-PD プロトコルを介して通信し、シンクは必要な電力量を定義します。 充電電圧と電流は、電源、USB-PD 充電器、または電源アダプターによってそれに応じて調整されます。

インフィニオンの革新的なCoolGaN™技術は、パワートランジスタの新たな基準を打ち立てます。CoolGaN™製品は、シリコンの代わりに窒化ガリウム(GaN) トランジスタを備えています。臨界電界が高いため、シリコンMOSFETと比較して優れた動的オン状態抵抗と静電容量が小さいため、GaN HEMTは高速スイッチングアプリケーションに最適です。GaNトランジスタはデッドタイムを短縮して動作させることができるため、効率が向上し、熱が向上します。高いスイッチング周波数で動作するため、受動部品の体積を小さくすることができ、全体的な電力密度が向上します。全体として、GaNは、同等以上のパフォーマンスと充電速度を提供しながら、充電器とアダプターの小型化と軽量化を可能にします。

USB-Cパワーデリバリー (USB-PD) は、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、スマートスピーカー、テレビなどのあらゆるタイプのモバイルデバイスに、統一された高速充電と最大100W の電力を供給するための標準として浮上しています。 最新のUSB-PD Rev3.1規格では、最大充電電力が最大240Wまで増加しています。

インフィニオンの完全な USB-C PD 充電器とその関連システム向けの広範な製品ポートフォリオには、プライマリ スイッチ、SRおよび負荷スイッチ、プライマリ側PWM制御、SRおよびプロトコル制御、ESD保護のソリューションなどがあります。

USB-C はエンドユーザーエクスペリエンスを簡素化し、GaN デバイスの導入とスイッチング周波数の増加と組み合わせることで、よりコンパクトで軽量な充電器とアダプターを可能にします。 ますます多くの相手先ブランド供給 (OEM) が充電器/アダプターをデバイスと一緒に販売しなくなるにつれて、アフターマーケット供給に対するエンドユーザーの需要が高まっています。

1A1Cは、Type-CコネクターとType-Aコネクターを1つずつ備えた充電器を意味し、1A1Cや2C設計などのマルチポート充電器の開発のきっかけとなりました。インフィニオンのEZ-PD™ CCG7DCは、デュアルポートハブに特化して設計された2ポートUSBハブICで、昇降圧コンバーター2つを備え、負荷分散用の完全なプログラマビリティに対応しています。インフィニオンのデュアルポート充電器のリファレンスデザインのアプリケーションノートには、2ポートUSBハブ回路図が詳細に記載されています。さらに、USB-PDの最大出力規格を利用するには、一般的なケーブルが3 Aまでなの対し、最大5 Aまで対応するUSB E-Mark専用ケーブルが必要です。

インフィニオンは、擬似共振 (QR)、ZVS、ハイブリッド フライバック動作に基づき、さまざまな電力レベルと電力密度の要件に対応した、さまざまなUSB-C充電器のリファレンスデザインや、関連USB充電回路図を提供しています。当社の革新的なシングルポートおよびデュアルポートUSB-Cコントローラーはフルプログラマブルのため、特定のType-C充電器やUSB-Cアダプターの設計に合わせて簡単にカスタマイズできます。

USB Type-C 充電器の回路図とUSB 充電器アダプターの回路図は、インフィニオンのシリコンおよびGaNベースの高電圧および低電圧パワースイッチ、USB-PD 電源およびプロトコルコントローラー、USB-Cケーブルマーカーコントローラー、ESD保護デバイスの包括的なポートフォリオを網羅しています。

インフィニオンのリファレンスデザインは、プロトタイプを迅速かつ容易に開発できるため、メーカーは開発コストと市場投入までの時間を短縮しながら、新しい急速充電アダプター技術のメリットを享受できます。 エレクトロニクス業界での数十年の経験により、インフィニオンは製品の効率と性能を損なうことなく、アダプターの小型化のトレンドを推進しています。

USBパワーデリバリー (USD-PD)は、ハードドライブ、プリンター、ラップトップ、大容量のバッテリー容量を備えたスマートフォンなど、より高い電力定格のデバイスを含む、USB-C ポートを備えたデバイスを充電または供給するための普遍的な標準です。 USB-PD 充電器とアダプターは、必要な電力量を供給するため、さまざまなデバイスに電力を供給するために使用できます。 電源とシンクはUSB-PD プロトコルを介して通信し、シンクは必要な電力量を定義します。 充電電圧と電流は、電源、USB-PD 充電器、または電源アダプターによってそれに応じて調整されます。

インフィニオンの革新的なCoolGaN™技術は、パワートランジスタの新たな基準を打ち立てます。CoolGaN™製品は、シリコンの代わりに窒化ガリウム(GaN) トランジスタを備えています。臨界電界が高いため、シリコンMOSFETと比較して優れた動的オン状態抵抗と静電容量が小さいため、GaN HEMTは高速スイッチングアプリケーションに最適です。GaNトランジスタはデッドタイムを短縮して動作させることができるため、効率が向上し、熱が向上します。高いスイッチング周波数で動作するため、受動部品の体積を小さくすることができ、全体的な電力密度が向上します。全体として、GaNは、同等以上のパフォーマンスと充電速度を提供しながら、充電器とアダプターの小型化と軽量化を可能にします。

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