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650 V CoolMOS™ CFD2

高速ボディダイオードによる効率と堅牢性のバランス

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概要

CoolMOS™ CFD2スーパージャンクション (SJ) MOSFETファミリーは、高速ボディダイオードを内蔵したMOSFETを備えています。 CFD2デバイスは、最適化されたソフト整流動作の恩恵を受けるため、EMIが軽減されます。 さらに、軽負荷効率、ゲート電荷の低減、容易な実装、および優れた信頼性は、このスーパージャンクションMOSFET技術の利点を補完します。 この技術は、CoolMOS™ CFD7に取って代わられます。 

主な機能

  • 650 Vテクノロジーと高速ボディダイオード
  • 小さな電圧オーバーシュート
  • Tight RDS(on) ディストリビューション
  • 小さな逆回復損失

製品

概要

高速ボディダイオードを備えた650 V CoolMOS™ CFD2 スーパージャンクション (SJ) MOSFET

インフィニオンは、650V CoolMOS™ CFD2により、高速ボディダイオードを内蔵した市場をリードする高電圧CoolMOS™ MOSFETの第2世代を発表しました。 CFD2デバイスは、エネルギー効率が向上した600V CFDの後継デバイスです。

よりソフトな整流挙動、したがってより優れたEMI挙動により、この製品は競合製品と比較して明らかな利点が得られます。 CFD2は、高速ボディダイオードを内蔵した市場初の650 V MOSFET技術です。

この製品ポートフォリオは、高速スイッチング スーパージャンクションMOSFETのすべての利点を提供し、軽負荷時の効率の向上、ゲート電荷の低減、容易な実装、および優れた信頼性を提供します。 CFD2テクノロジーは、その前身である600V CFDと比較して低価格を提供し、共振スイッチングアプリケーション向けに調整されています。

CoolMOS™ CFD2パッケージと製品ポートフォリオ

650 V CoolMOS™ CFD2 スーパージャンクション (SJ) MOSFET は、SMD パッケージ (D2PAK (TO-263)、DPAK (TO-252)、ThinPAK 8x8) およびスルーホール (TO-220、絶縁型 TO-220、FullPAK、TO-247) の両方で提供されます。

デバイスは41mΩ/68.5A から 950mΩ/3.9までのレンジをカバーします。

迅速なデザインインのための最高の使いやすさ

CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFETは、非常に低い電圧オーバーシュートと最小限のリンギング動作を備えています。 ゲート スパイクの低減と200Vの高い安全マージンの組み合わせにより、追加のリンギング制御を必要とせずに迅速なデザイン インが可能になります。 これにより、ZVS位相シフトフルブリッジ、LLCトポロジー、AC / DCブリッジ、および3レベルインバーターに人気があります。

最小の逆回復電荷と逆回復時間による最高の信頼性

ZVSトポロジーではハードコミュテーションが一般的であり、低いQrr (逆回復電荷)とTrr (逆回復時間) に依存する、優れた高速ボディダイオード性能を備えたデバイスが必要です。 CoolMOS™ CFD2の高速逆回復は、ボディダイオードが完全に回復していない間、デバイスへのストレスが軽減され、設計における繰り返しのハード整流に対する追加の安全マージンの利点を設計者に提供し、デザインインの労力を軽減します。

高速ボディダイオードを備えた650 V CoolMOS™ CFD2 スーパージャンクション (SJ) MOSFET

インフィニオンは、650V CoolMOS™ CFD2により、高速ボディダイオードを内蔵した市場をリードする高電圧CoolMOS™ MOSFETの第2世代を発表しました。 CFD2デバイスは、エネルギー効率が向上した600V CFDの後継デバイスです。

よりソフトな整流挙動、したがってより優れたEMI挙動により、この製品は競合製品と比較して明らかな利点が得られます。 CFD2は、高速ボディダイオードを内蔵した市場初の650 V MOSFET技術です。

この製品ポートフォリオは、高速スイッチング スーパージャンクションMOSFETのすべての利点を提供し、軽負荷時の効率の向上、ゲート電荷の低減、容易な実装、および優れた信頼性を提供します。 CFD2テクノロジーは、その前身である600V CFDと比較して低価格を提供し、共振スイッチングアプリケーション向けに調整されています。

CoolMOS™ CFD2パッケージと製品ポートフォリオ

650 V CoolMOS™ CFD2 スーパージャンクション (SJ) MOSFET は、SMD パッケージ (D2PAK (TO-263)、DPAK (TO-252)、ThinPAK 8x8) およびスルーホール (TO-220、絶縁型 TO-220、FullPAK、TO-247) の両方で提供されます。

デバイスは41mΩ/68.5A から 950mΩ/3.9までのレンジをカバーします。

迅速なデザインインのための最高の使いやすさ

CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFETは、非常に低い電圧オーバーシュートと最小限のリンギング動作を備えています。 ゲート スパイクの低減と200Vの高い安全マージンの組み合わせにより、追加のリンギング制御を必要とせずに迅速なデザイン インが可能になります。 これにより、ZVS位相シフトフルブリッジ、LLCトポロジー、AC / DCブリッジ、および3レベルインバーターに人気があります。

最小の逆回復電荷と逆回復時間による最高の信頼性

ZVSトポロジーではハードコミュテーションが一般的であり、低いQrr (逆回復電荷)とTrr (逆回復時間) に依存する、優れた高速ボディダイオード性能を備えたデバイスが必要です。 CoolMOS™ CFD2の高速逆回復は、ボディダイオードが完全に回復していない間、デバイスへのストレスが軽減され、設計における繰り返しのハード整流に対する追加の安全マージンの利点を設計者に提供し、デザインインの労力を軽減します。

ドキュメント

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