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IRHLUB770Z4

データシート
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IRHLUB770Z4
IRHLUB770Z4
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UB
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UB
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-LCC-4
パッケージ坝 LCC-3 + Gnd Pin Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-LCC-4
パッケージ坝 LCC-3 + Gnd Pin Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHLUB770Z4 R7 MOSFET is a single N-channel device with a 60V, 0.8A rating. It is rad hard and UB packaged, with electrical performance up to 100krad(Si) TID. With single event gate rupture and burnout immunity, it is ideal for radiation environments and interfacing with most logic gates, linear ICs, and micro-controllers operating between 3.3-5V. A reliable solution for powering devices in space.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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