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IRHLUB770Z4

データシート
パッケージ

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IRHLUB770Z4
IRHLUB770Z4
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    0.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UB
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    680 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UB
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLUB770Z4 R7 MOSFET is a single N-channel device with a 60V, 0.8A rating. It is rad hard and UB packaged, with electrical performance up to 100krad(Si) TID. With single event gate rupture and burnout immunity, it is ideal for radiation environments and interfacing with most logic gates, linear ICs, and micro-controllers operating between 3.3-5V. A reliable solution for powering devices in space.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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