新規設計は非推奨
RoHS準拠

IPP120N08S4-03

80 V, N-Ch, 2.5 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IPP120N08S4-03
IPP120N08S4-03
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany, Malaysia
  • ID (@25°C) (最大)
    120 A
  • IDpuls (最大)
    480 A
  • Ptot (最大)
    278 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    167 nC
  • QG (typ @10V)
    128 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.5 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.54 K/W
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO220 (PG-TO220-3)
  • 予算価格€/ 1k
    2.33
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
IPP120N08S403AKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり

特長

  • N-channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • Ultra low RDS(on)
  • PPAP capable device

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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