IPB033N10N5LF
Active and preferred
RoHS対応

IPB033N10N5LF

Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPB033N10N5LF
IPB033N10N5LF
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    120 A
  • IDpuls (最大)
    480 A
  • Ptot (最大)
    179 W
  • Qgd
    72 nC
  • QG (typ @10V)
    102 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.3 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.7 K/W
  • Rth
    0.45 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～4.1 V
  • VGS(th)
    3.3 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.87
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
推奨
OPN
IPB033N10N5LFATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

特長

  • R DS(on) and wide (SOA)
  • High max. pulse current
  • High continuous pulse current

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low conduction losses
  • Faster start-up with higher in-rush
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }