Active and preferred
RoHS準拠

IPB033N10N5LF

Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB033N10N5LF
IPB033N10N5LF
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    120 A
  • IDpuls max
    480 A
  • Ptot max
    179 W
  • Qgd
    72 nC
  • QG (typ @10V)
    102 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.3 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.7 K/W
  • Rth
    0.45 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3.3 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.87
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
推奨
OPN
IPB033N10N5LFATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

機能

  • R DS(on) and wide (SOA)
  • High max. pulse current
  • High continuous pulse current

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low conduction losses
  • Faster start-up with higher in-rush

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }