IMDQ75R016M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMDQ75R016M2H

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK top-side cooled package, 16 mΩ
個.
在庫あり

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IMDQ75R016M2H
IMDQ75R016M2H
個.

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    103 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    21 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    16 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.38 K/W
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
OPN
IMDQ75R016M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 750 V Generation 2 offers improved switching performance, reduced losses, and enhanced thermal management. With a 25% increase in switching speed and up to 35% improved Figure-of-Merits compared to Generation 1, it enables more efficient, compact, and reliable systems for industrial applications.

特長

  • 100% avalanche tested
  • Best‑in‑class RDS(on) x Qfr
  • Excellent RDS(on) x Qoss & RDS(on) x QG
  • Unique low Crss/Ciss & high VGS(th)
  • Improved package interconnect with .XT
  • Driver source pin available

利点

  • Enhanced robustness and reliability
  • Superior efficiency in hard switching
  • Higher switching frequency
  • Robustness against parasitic turn on
  • Best‑in‑class thermal dissipation
  • Reduced switching losses
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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