IDH12G65C6
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IDH12G65C6

650 Vシリコンカーバイド ショットキーダイオード12 A、TO-220パッケージ
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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IDH12G65C6
IDH12G65C6
個.
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    64 A
  • IF (最大)
    12 A
  • IR
    1.2 µA
  • Ptot (最大)
    81 W
  • QC
    17.1 nC
  • RthJC
    1.1 K/W
  • VF
    1.25 V
  • パッケージ
    TO220
  • 認定
    Industrial
OPN
IDH12G65C6XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CoolSiC™ Schottky diode 650V G6 is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes, fully leveraging all advantages of SiC over silicon. An Infineon proprietary innovative soldering process is combined with a more compact design, thin-wafer technology and a novel Schottky metal system. The result is a family of products with improved efficiency over all load conditions, resulting from a best-in-class figure of merit (Q c x V F).

特長

  • The lowest V F: 1.25V
  • Best-in-class figure of merit (Q c x V F)
  • No reverse recovery charge
  • Temperature independent switching behavior
  • High dv/dt ruggedness
  • Optimized thermal behavior

利点

  • Improved system efficiency over all load conditions
  • Increased system power density
  • Reduced cooling requirements and increased system reliability
  • Enables extremely fast switching
  • Easy and effective match with CoolMOS™ 7 families
  • Optimal price performance
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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