Home 製品 RFおよび無線制御 高信頼性ディスクリート部品 HiRel Silicon Bipolar Transistor technology BFY196 (P) BFY196 (P) 概要 HiRel Microwave Transistor 特長 HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT= 6,5 GHz F = 3 dB at 2 GHz Type Variant No. 07 推奨アプリケーション例 Quality level for Engineering Models パラメータ 技術資料他 注文 デザインサポート ビデオ パートナー トレーニング パッケージング サポート お問合せ