これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

車載用 IGBT ディスクリート

幅広い車載アプリケーションに適用可能な車載グレードの製品ポートフォリオ

anchor

製品

概要

電動ドライブトレイン向けのインフィニオンの第2世代チップテクノロジー

インフィニオンの電気ドライブトレイン用第2世代チップ技術は、車載用ドライブトレインアプリケーションのエネルギー効率を大幅に向上させるベンチマークとなる750V IGBT技術です。この技術は、最大 470V の DC リンク電圧をサポートし、スイッチング損失と導通損失が非常に低くなっています。インフィニオンの卓越した品質と相まって、EDT2テクノロジーは、非常にタイトなパラメータ分布と正の熱係数を備えています。これにより、並列化操作が容易になり、システムの柔軟性と最終設計への電力スケーラビリティが提供されます。

EDT2を搭載した製品は、従来のIGBT3と比較したとき、より高い耐圧と20% 低い飽和電圧の両方を特長としています。セル構造の最適化により、高速なスイッチングが可能になります。さらに、堅牢な設計により、ラッチアップを回避し、十分な短絡耐量を実現します。

インフィニオンの TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジー

インフィニオンのTRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT技術は、ハードスイッチングアプリケーションの効率において比類のない性能を提供することで、「クラス最高」のIGBTを再定義します。これは、明日の市場の最高効率要求に対応するためのIGBTの世界における革命であり、最高の効率、より低いシステムコスト、および信頼性の向上が必要な場合、TRENCHSTOP™ 5が唯一の選択肢であることを意味します。これにより、スイッチング損失と導通損失が大幅に減少します。

インフィニオンのTRENCHSTOP™ 60TAテクノロジー

IGBTとソフトリカバリエミッタ制御ダイオードの組み合わせにより、ターンオン損失をさらに抑制することができます。スイッチング損失と導通損失の間の最良のバランスにより、最高の効率に到達します。

RC-drives IGBT テクノロジー

RC-drives IGBT テクノロジーは、モノリシックに集積されたダイオードにより総チップ面積の縮小を実現し、コストを最適化するソリューションとしてインフィニオンによって開発されました。 さらにこの技術は、175 °C の最大ジャンクション温度下においても、スムーズなスイッチング動作と低EMI レベルを実現する優れた性能を提供します。

電動ドライブトレイン向けのインフィニオンの第2世代チップテクノロジー

インフィニオンの電気ドライブトレイン用第2世代チップ技術は、車載用ドライブトレインアプリケーションのエネルギー効率を大幅に向上させるベンチマークとなる750V IGBT技術です。この技術は、最大 470V の DC リンク電圧をサポートし、スイッチング損失と導通損失が非常に低くなっています。インフィニオンの卓越した品質と相まって、EDT2テクノロジーは、非常にタイトなパラメータ分布と正の熱係数を備えています。これにより、並列化操作が容易になり、システムの柔軟性と最終設計への電力スケーラビリティが提供されます。

EDT2を搭載した製品は、従来のIGBT3と比較したとき、より高い耐圧と20% 低い飽和電圧の両方を特長としています。セル構造の最適化により、高速なスイッチングが可能になります。さらに、堅牢な設計により、ラッチアップを回避し、十分な短絡耐量を実現します。

インフィニオンの TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジー

インフィニオンのTRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT技術は、ハードスイッチングアプリケーションの効率において比類のない性能を提供することで、「クラス最高」のIGBTを再定義します。これは、明日の市場の最高効率要求に対応するためのIGBTの世界における革命であり、最高の効率、より低いシステムコスト、および信頼性の向上が必要な場合、TRENCHSTOP™ 5が唯一の選択肢であることを意味します。これにより、スイッチング損失と導通損失が大幅に減少します。

インフィニオンのTRENCHSTOP™ 60TAテクノロジー

IGBTとソフトリカバリエミッタ制御ダイオードの組み合わせにより、ターンオン損失をさらに抑制することができます。スイッチング損失と導通損失の間の最良のバランスにより、最高の効率に到達します。

RC-drives IGBT テクノロジー

RC-drives IGBT テクノロジーは、モノリシックに集積されたダイオードにより総チップ面積の縮小を実現し、コストを最適化するソリューションとしてインフィニオンによって開発されました。 さらにこの技術は、175 °C の最大ジャンクション温度下においても、スムーズなスイッチング動作と低EMI レベルを実現する優れた性能を提供します。

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }