Silicon on Insulator(SOI)ゲートドライバIC
IGBTおよびMOSFET用SOIレベルシフト高電圧ゲートドライバIC
インフィニオンのシリコンオンインシュレータ(SOI)テクノロジーは、内蔵ブートストラップダイオード(BSD)を備え、負の過渡電圧スパイクに耐える業界でクラス最高の堅牢性など、独自の顕著なクラス最高のメリットをもたらす高電圧レベルシフト技術です。各トランジスタは、埋め込まれた二酸化ケイ素で分離されており、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタの形成を防いでいます。また、この技術は、レベルシフトの電力損失を低下させ、デバイススイッチング時の電力消費を最小化しています。先進的プロセスにより、技術的に強化されたメリットを実現するとともに、高電圧および低電圧回路をモノリシックに構成することが可能になっています。
新製品2ED218x - 高電流 650V、2.5A、ハーフブリッジSOIゲートドライバファミリー、および新製品2ED210x - 低電流650V、0.7A、ハーフブリッジSOIゲートドライバファミリーが加わりました。この2つの製品ファミリーには、DSO-8およびDSO-14という2つのパッケージの選択肢があります。

VSピン(-VS)の負の過渡電圧の高い動作堅牢性
今日の高出力スイッチングインバータや駆動機器は、大負荷電流を駆動します。VSピンの電圧振幅は、負のDCバス上で止まることがなく、パワー回路およびPCBトラックへのダイのボンディングでの負のインダクタンスにより、負のDCバスのレベルよりも低いところで振幅します。
インフィニオンのSOI技術を使用した高耐圧レベルシフトゲートドライバICのEiceDRIVER™は、業界最高の動作堅牢性を誇ります。下記のVBS = 15 V、最大パルス幅1000nsのSOIゲートドライバ(6ED2230S12T:近日リリース)の安全動作領域を示します。緑色の領域では、不要な機能的異常またはICへの永久的な損傷は起こりません。
*近日リリース
ご興味があると思われる情報
推奨ドキュメント
This training features how the level-shift gate drivers work, what are negative voltage transient and how they affect level-shift gate drivers. In addition you will learn about the technology difference between Junction isolation and Infineon’s Silicon-On-Insulator technology.

You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます:お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ(SOI)および接合分離(JI)テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット:内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。