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IRHLNM7S3214SCS
生産終了
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IRHLNM7S3214SCS

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データシート
パッケージ

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IRHLNM7S3214SCS
IRHLNM7S3214SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1100 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHLNM7S3214SCS N-channel MOSFET in SMD-0.2 package is a rad hard, 100V, 6.5A single device with electrical performance up to 100krad(Si) TID. These R7 logic level power MOSFETs offer immunity to single event gate rupture and single event burnout while maintaining acceptable voltage limits. This MOSFET is an ideal simple solution for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }