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RoHS準拠
鉛フリー

S25FL128LAGMFV003

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S25FL128LAGMFV003
S25FL128LAGMFV003
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2032
  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-L
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
S25FL128LAGMFV003は128 Mb (16 MB)のSPI NORフラッシュメモリで、65 nmフローティングゲート技術を採用し、最大133 MHzのシングル/デュアル/クワッドI/Oに対応。2.7 V～3.6 V動作、AEC-Q100 Grade 1（–40°C～+125°C）認証取得、256バイトページバッファ、4 KB均一セクター消去、高度なセキュリティ領域、10万回書き換えに対応。最大66 MBpsのクワッドリードとDDR動作で自動車や組込みコード格納に最適です。

機能

  • SPIインターフェース（シングル/デュアル/クワッド）
  • DDR読み出しコマンド対応
  • 256バイトページプログラムバッファ
  • 4 KB/32 KB/64KB均一消去
  • セキュリティ領域とOTPロック
  • ディープパワーダウンでデータ保護
  • 10万回書換保証
  • 20年データ保持
  • 2.7 V～3.6V単一電源
  • 入力電圧許容VSS-1.0 V～VCC+1.0 V(20ns)
  • ハード/ソフト両対応のデータ保護
  • 動作温度+125°Cまで

利点

  • 柔軟なI/Oで高速転送
  • DDRでシステム性能向上
  • 大容量バッファで効率的書込み
  • 多様な消去で管理容易
  • セキュリティ領域で不正防止
  • ディープパワーダウンで誤動作防止
  • 高耐久で長寿命
  • 長期データ保持で安心
  • 広い電源範囲で設計容易
  • 電圧変動に強い
  • データ保護で信頼性向上
  • 広温度対応で過酷環境OK

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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