IRHNS9A3160
Active and preferred

IRHNS9A3160

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNS9A3160
IRHNS9A3160
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    93 A
  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL型番
    2N7653U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    6.5 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The N-channel MOSFET IRHNS9A3160 is rad hard and has a 100V rating and a 100A current capacity. It comes in a SupIR-SMD package and has electrical performance up to 300krad(Si) TID. A COTS device , IRHNS9A3160 offers low RDS(on) and faster switching times for high power density in DC-DC converters and motor controllers. A reliable choice for space applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }