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IRHNS9A3160

データシート
パッケージ

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IRHNS9A3160
IRHNS9A3160
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    93 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL型番
    2N7653U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    6.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The N-channel MOSFET IRHNS9A3160 is rad hard and has a 100V rating and a 100A current capacity. It comes in a SupIR-SMD package and has electrical performance up to 300krad(Si) TID. A COTS device , IRHNS9A3160 offers low RDS(on) and faster switching times for high power density in DC-DC converters and motor controllers. A reliable choice for space applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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