IRHNJ57234SESCS

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IRHNJ57234SESCS
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製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    6.4 A
  • ID (@25°C) (最大)
    10 A
  • QG
    32 nC
  • QPL型番
    2N7555U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    400 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS (最小)
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNJ57234SESCS R5 N-channel MOSFET is a rad hard device for space applications, with a peak voltage of 250V and a current capacity of 10A. The device has a QIRL classification and electrical performance up to 100krad(Si) TID. The SMD-0.5 package with lead form up, combined with low RDS(on) and low gate charge, reduces power losses in switching applications while maintaining all the advantages of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ