IRHNJ57234SESCS

データシート

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IRHNJ57234SESCS
IRHNJ57234SESCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    6.4 A
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • QG
    32 nC
  • QPL型番
    2N7555U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    400 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNJ57234SESCS R5 N-channel MOSFET is a rad hard device for space applications, with a peak voltage of 250V and a current capacity of 10A. The device has a QIRL classification and electrical performance up to 100krad(Si) TID. The SMD-0.5 package with lead form up, combined with low RDS(on) and low gate charge, reduces power losses in switching applications while maintaining all the advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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