IRHF6S7230SCS

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IRHF6S7230SCS
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製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    5.7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    145 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHF6S7230SCS R6 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device designed for space applications. With a maximum voltage rating of 200V and a current rating of 9.1A, it features low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. Its electrical performance is up to 100krad(Si) TID, QIRL classified, making it a reliable choice for demanding space environments.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ