IRHF6S7230SCS

データシート

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IRHF6S7230SCS
IRHF6S7230SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    5.7 A
  • ID (@25°C) max
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    145 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHF6S7230SCS R6 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device designed for space applications. With a maximum voltage rating of 200V and a current rating of 9.1A, it features low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. Its electrical performance is up to 100krad(Si) TID, QIRL classified, making it a reliable choice for demanding space environments.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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