DEMO_MTR_72V200A_GAN

DEMO_MTR_72V200A_GAN

仮想設計|高並列化したCoolGaN™トランジスタを採用した低電圧モーター制御設計

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DEMO_MTR_72V200A_GAN
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製品仕様情報

  • スイッチング周波数 (最大)
    50 kHz
  • ファミリー
    CoolGaN™
  • 入力タイプ
    Battery
  • 入力電圧 範囲
    14 V~80 V
  • 出力電流 範囲
    0 A~220 A
  • 効率
    99%
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
DEMO_MTR_72V200A_GaNは、最大72 V、モーター相電流最大200 ARMSの低電圧インバーター用途向けに設計されています。ハーフブリッジ構成で、120 V G3のCoolGaN™ トランジスタを96個搭載しています。並列接続されたトランジスタはすべてEiceDRIVER™ 1EDN7116Uゲートドライバで駆動し、出力相電流はXENSIV™ TLE4972磁気電流センサーで検出します。 135 mm × 90 mmのサイズで達成可能な高い電力密度を実証します。

特長

  • 公称入力電圧: 72 V
  • 過電流検出 (492 Aまたは834 A)
  • HB側用にトランジスタを16個並列接続
  • ハーフブリッジ構成
  • 高スイッチング周波数 (50 kHz以上)
  • バルク容量の低減
  • 大電流リップルへの対応

利点

  • 超高電力密度
  • 並列デバイスのスケーラビリティ
  • 最適なレイアウトの実装

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース