Pチャネル耐放射線パワーMOSFET

高性能IR HiRelソリューションは、宇宙アプリケーション向けに-30Vから-200Vまでの効率的なDLA認定電力管理を提供します

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概要

インフィニオンのIR HiRel Pチャネル耐放射線MOSFETは、MIL-PRF-19500に準拠しており、QPL認定オプションも用意されています。 これらは、さまざまなハーメチックパッケージで提供されます。 最新世代のスーパージャンクションR9耐放射線性PチャネルMOSFETは、堅牢な安全動作領域(SOA)性能の新たなベンチマークを打ち立て、DC SOAの限界を拡大します。

主な機能

  • シングルイベント効果 (SEE) の強化
  • SOAの改善
  • 低 RDS(on)
  • シンプルなドライブ要件

製品

概要

耐放射線PチャネルMOSFET スペースアプリケーション

インフィニオンの受賞歴のある耐放射線性PチャネルMOSFETは、次のような動作寿命が15年を超える宇宙用パワーアプリケーションに最適です。

  • 宇宙用DC-DCコンバータ
  • モータードライブ
  • 突入電流保護
  • ソリッドステートパワーコントローラ
  • 熱管理
  • アクティブOR接続回路
  • 冗長電源配分
  • ロードスイッチ
  • バッテリー充電
  • バッテリー管理システム
IR HiRelブランドの耐放射線型FETのDLA品質適合性試験

HiRel 製品は、標準的な商用製品とは異なり、宇宙および防衛アプリケーションで一般的な過酷な条件で仕様に対する製品性能を保証するために、さまざまなレベルで品質適合性テストを受ける必要があります。

米国では、アメリカ国防兵站局 (DLA) が管理機関であり、半導体デバイスおよびハイブリッドモジュールで実行される品質適合性テストシーケンス、つまりMIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883、およびMIL-PRF-38535/MIL-STD-883を規定する仕様を発行しています。

MIL-PRF-19500/MIL-STD-750は、ダイオードやパワーMOSFET などのディスクリート半導体の制御仕様です。MIL-PRF-19500は、ディスクリート半導体をJAN、JANTX、JANTXV、またはJANS レベルのいずれかで製造するように指示します (注: MOSFET ではJAN レベルは許可されていません)。

MIL-PRF-19500
耐放射線性PチャネルMOSFET による簡素化されたPMAD 設計

標準的な衛星アーキテクチャでは、NチャネルとPチャネルでそれぞれ約60%と40%に分割されたパワーFET を組み合わせる必要があります。 最新世代の耐放射線PチャネルFET は、SOA 機能の向上により、負荷シーケンシング、負荷スイッチング、突入電流制限と電源、負荷冗長性などのアプリケーションで、より高い電流能力と高出力電力をサポートします。 システム設計者は、より小さなパッケージとデバイスの並列化を選択し、基板スペースと重量を節約できます。

R9によるシンプルな設計、高い信頼性
インフィニオンの耐放射線MOSFET の耐放射線性保証

インフィニオンの耐放射線MOSFETは、ESCC-5000、MIL-PRF-19500、および関連するスラッシュシートに概説されている要件に基づく保証プログラムにより、耐放射線性を検証するための試験が行われています。 当社のIR HiRelブランド製品は、すべての製造ロットに必要な最大2倍のサンプリングサイズで、標準要件を上回っています。 照射前と照射後の性能は、同じ駆動回路と試験条件を使用して試験および仕様化され、直接比較されます。 設計技術によって耐放射線性が向上しているため、耐放射線性パワーMOSFETのシングルイベントバーンアウト (SEB) やシングル イベント ゲート ラプチャー(SEGR)の可能性が事実上排除されます。その後、広範なSEEテストによって堅牢な性能が検証されます。

放射線試験方法 - パワーMOSFET

高信頼性パッケージ情報

パッケージ外形図、重量など、耐放射線性およびHiRel MOSFETポートフォリオのパッケージについて詳しくご覧ください。

HiRel製品パッケージ情報の詳細はこちら

耐放射線PチャネルMOSFET スペースアプリケーション

インフィニオンの受賞歴のある耐放射線性PチャネルMOSFETは、次のような動作寿命が15年を超える宇宙用パワーアプリケーションに最適です。

  • 宇宙用DC-DCコンバータ
  • モータードライブ
  • 突入電流保護
  • ソリッドステートパワーコントローラ
  • 熱管理
  • アクティブOR接続回路
  • 冗長電源配分
  • ロードスイッチ
  • バッテリー充電
  • バッテリー管理システム

IR HiRelブランドの耐放射線型FETのDLA品質適合性試験

HiRel 製品は、標準的な商用製品とは異なり、宇宙および防衛アプリケーションで一般的な過酷な条件で仕様に対する製品性能を保証するために、さまざまなレベルで品質適合性テストを受ける必要があります。

米国では、アメリカ国防兵站局 (DLA) が管理機関であり、半導体デバイスおよびハイブリッドモジュールで実行される品質適合性テストシーケンス、つまりMIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883、およびMIL-PRF-38535/MIL-STD-883を規定する仕様を発行しています。

MIL-PRF-19500/MIL-STD-750は、ダイオードやパワーMOSFET などのディスクリート半導体の制御仕様です。MIL-PRF-19500は、ディスクリート半導体をJAN、JANTX、JANTXV、またはJANS レベルのいずれかで製造するように指示します (注: MOSFET ではJAN レベルは許可されていません)。

MIL-PRF-19500

耐放射線性PチャネルMOSFET による簡素化されたPMAD 設計

標準的な衛星アーキテクチャでは、NチャネルとPチャネルでそれぞれ約60%と40%に分割されたパワーFET を組み合わせる必要があります。 最新世代の耐放射線PチャネルFET は、SOA 機能の向上により、負荷シーケンシング、負荷スイッチング、突入電流制限と電源、負荷冗長性などのアプリケーションで、より高い電流能力と高出力電力をサポートします。 システム設計者は、より小さなパッケージとデバイスの並列化を選択し、基板スペースと重量を節約できます。

R9によるシンプルな設計、高い信頼性

インフィニオンの耐放射線MOSFET の耐放射線性保証

インフィニオンの耐放射線MOSFETは、ESCC-5000、MIL-PRF-19500、および関連するスラッシュシートに概説されている要件に基づく保証プログラムにより、耐放射線性を検証するための試験が行われています。 当社のIR HiRelブランド製品は、すべての製造ロットに必要な最大2倍のサンプリングサイズで、標準要件を上回っています。 照射前と照射後の性能は、同じ駆動回路と試験条件を使用して試験および仕様化され、直接比較されます。 設計技術によって耐放射線性が向上しているため、耐放射線性パワーMOSFETのシングルイベントバーンアウト (SEB) やシングル イベント ゲート ラプチャー(SEGR)の可能性が事実上排除されます。その後、広範なSEEテストによって堅牢な性能が検証されます。

放射線試験方法 - パワーMOSFET

高信頼性パッケージ情報

パッケージ外形図、重量など、耐放射線性およびHiRel MOSFETポートフォリオのパッケージについて詳しくご覧ください。

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ドキュメント

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }