Active and preferred

IRHNA57160

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA57160
IRHNA57160
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7469U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHNA57160 R5 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a 100V, 69A rating. Its low RDS(on) and gate charge deliver high power efficiency for DC-DC converters and motor control. The COTS device is designed for space applications, with proven Total Dose and Single Event Effects characterization. The SMD-2 package features lead form down, and electrical performance is up to 100krad(Si) TID.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }