IRHNA57160
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IRHNA57160

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IRHNA57160
IRHNA57160
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    69 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7469U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    12 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHNA57160 R5 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a 100V, 69A rating. Its low RDS(on) and gate charge deliver high power efficiency for DC-DC converters and motor control. The COTS device is designed for space applications, with proven Total Dose and Single Event Effects characterization. The SMD-2 package features lead form down, and electrical performance is up to 100krad(Si) TID.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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