新規設計は非推奨

IRHLNM87Y20

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM87Y20
IRHLNM87Y20
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLNM87Y20 is a single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package, with a rad hard design that can handle up to 300krad(Si) TID. With a 20V and 17A rating, it provides a solution to interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments. The device maintains single event gate rupture and single event burnout immunity while interfacing with most logic gates, linear IC's and micro-controllers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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