IRHLNM87Y20
新規設計非推奨

IRHLNM87Y20

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM87Y20
IRHLNM87Y20
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) (最大)
    17 A
  • ID (@25°C) (最大)
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    15 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF (最大)
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHLNM87Y20 is a single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package, with a rad hard design that can handle up to 300krad(Si) TID. With a 20V and 17A rating, it provides a solution to interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments. The device maintains single event gate rupture and single event burnout immunity while interfacing with most logic gates, linear IC's and micro-controllers.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ