新覝設計㝯非推奨

IRHLNM83Y20

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM83Y20
IRHLNM83Y20
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製哝ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHLNM83Y20 is a rad hard single R8 N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package, with a voltage rating of 20V and current rating of 17A. It provides immunity to single event gate rupture and burnout, while maintaining acceptable threshold voltage operation in radiation environments. Ideal for interfacing CMOS and TTL circuits to power devices in space, it can increase output current of PWM, voltage comparator or operational amplifier.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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