新規設計は非推奨

IRHLNM83Y20

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM83Y20
IRHLNM83Y20
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLNM83Y20 is a rad hard single R8 N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package, with a voltage rating of 20V and current rating of 17A. It provides immunity to single event gate rupture and burnout, while maintaining acceptable threshold voltage operation in radiation environments. Ideal for interfacing CMOS and TTL circuits to power devices in space, it can increase output current of PWM, voltage comparator or operational amplifier.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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