IRHLNM83Y20
新規設計非推奨

IRHLNM83Y20

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.

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IRHLNM83Y20
IRHLNM83Y20

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) (最大)
    17 A
  • ID (@25°C) (最大)
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    15 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF (最大)
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHLNM83Y20 is a rad hard single R8 N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package, with a voltage rating of 20V and current rating of 17A. It provides immunity to single event gate rupture and burnout, while maintaining acceptable threshold voltage operation in radiation environments. Ideal for interfacing CMOS and TTL circuits to power devices in space, it can increase output current of PWM, voltage comparator or operational amplifier.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ