Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY8C4127LCE-HV403

Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Power MOSFET in D2PAK-7L, 8.7mΩ
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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CY8C4127LCE-HV403
CY8C4127LCE-HV403
EA.
データシート

Product details

  • 1620ビット精度ΔΣ ADC
    2
  • AECQが利用可能
    Yes
  • CAN-FD
    No
  • CRYPTO
    No
  • ECC付きSRAM
    8 kByte
  • ECC付きコード フラッシュ
    128 kByte
  • ECC付きデータ フラッシュ
    8 kByte
  • GPIO
    9
  • LIN
    1
  • LINコントローラー
    Yes
  • SCBブロック
    1
  • TCPWMブロック
    4
  • イソUART
    No
  • デジタルチャネル
    4
  • パッケージ
    Tray
  • ファミリー
    PSOC™ 4 HVPA-144K
  • 分類
    ISO 26262-compliant
  • 対象アプリケーション
    IBS
  • 温度
    - 40°C - + 125°C
  • 電圧測定精度
    0.25 %
  • 高電圧サブシステム (LDO, LIN PHY)
    Yes
  • 高電圧測定 Ios (HV分圧器付)
    2
  • 高電圧測定精度(HV分周器付き)
    0.25 %
推奨
OPN
CY8C4127LCE-HV403
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VQFN-32
パッケージ名 QFN-32 (002-29344)
包装サイズ 980
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VQFN-32
パッケージ名 QFN-32 (002-29344)
包装サイズ 980
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC Mosfet features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

機能

  • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
  • Very low switching losses
  • Threshold-free on state characteristic
  • 0V turn-off gate voltage
  • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th)=4.5V
  • Fully controllable dv/dt
  • Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification
  • Temperature independent turn-off switching losses
  • Sense pin for optimized switching performance
  • Suitable for HV creepage requirements
  • XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

利点

  • Efficiency improvement
  • Enabling higher frequency
  • Increased power density
  • Cooling effort reduction
  • Reduction of system complexity and cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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