Active and preferred
RoHS準拠

EVAL_BUP_06N_1

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EVAL_BUP_06N_1
EVAL_BUP_06N_1

製品詳細

推奨
OPN
EVALBUP06N1TOBO1
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ坝 N/A
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ坝 -
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル -
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
Open-loop half-bridge evaluation board of 60 V radiation tolerant BUP06CN035L-01 N-channel MOSFETs driven by high and low side 2ED21844S06J silicon-on-insulator gate driver. 

機能

  • Half-bridge power stage populated with two 60 V/35 A RT Si MOSFETs
  • Populated with a single PWM input with the 2ED21844S06J half-bridge gate driver IC
  • Drop-in support for dual input PWM 2ED21824S06J half-bridge gate driver IC
  • Onboard tunable resistor network to achieve a range of dead times for either 2ED21844S06J or 2ED21824S06J
  • Flexible open-loop power stage configurable for a variety of operating conditions
  • PCB layout supports TO-263 (D2PAK) MOSFET packages

用途

Bill of Material

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション