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シリコン オン インシュレーター (SOI) およびジャンクション アイソレーション (JI) 製品を含みます。 インフィニオンは、500-700 Vの主要な家電製品、産業用ドライブ、家庭用エアコン、または汎用モータ制御およびインバーター向けに調整された三相、ハーフブリッジ、ハイサイドおよびローサイド、シングルハイサイド ゲートドライバーICおよび電流検出サポートICを提供しています。

  • 低い静止電流
  • ブートストラップダイオード内蔵
  • +700 VOFFSET電圧まで
  • 標準ピン配置およびパッケージ

製品

概要

インフィニオンは、機能絶縁を必要とする500-700 Vアプリケーション向けのレベルシフト ゲートドライバーICの業界をリードするポートフォリオを提供しています。

これらのドライバーは、高速かつ高精度の過電流保護 (OCP)、低電圧ロックアウト (UVLO)、クロス導通防止ロジック、フォールト、イネーブル、シャットダウンなどのステータス インジケータなどの保護機能を備えた、さまざまな三相、ハーフブリッジ、またはハイサイド/ローサイド構成で利用できます。すべてのデバイスは、標準的な業界パッケージスタイルとフットプリントで提供されます。

500 V - 650 Vゲートドライバーは、マキシムのレベルシフト接合絶縁技術または当社独自のSOI (Silicon-on-Insulator) 技術で利用できます。

500V〜650 VのゲートドライバーICは、次のようなさまざまなパワー エレクトロニクス アプリケーションでIGBTを切り替え、エンハンスメント モードNチャネルMOSFETを提供します。

  • モータードライブ、TRENCHSTOP ™ IGBT6または600 V EasyPACK™モジュールを搭載した汎用インバーター
  • 冷凍コンプレッサー、IH調理器、その他RCDシリーズIGBTやTRENCHSTOP™ファミリーIGBTまたはそれらに相当するパワー ステージを持つ主要な家電製品
  • 電動工具、低電圧OptiMOS™ MOSFET、またはそれらと同等の電力段を使用する掃除機などの電池式小型家電製品
  • 高電圧CoolMOS™スーパージャンクションMOSFETまたはTRENCHSTOP™ H3およびWR5 IGBTシリーズを搭載した産業用SMPS用オフラインAC-DC電源のトーテムポール、ハーフブリッジ、フルブリッジ コンバータ
  • CoolMOS™スーパージャンクションMOSFETを搭載したハイパワーLED/HID照明
  • 電気自動車 (EV) 充電ステーションとバッテリー管理システム
  • 上記のアプリケーションで650 V SiC MOSFETを駆動
  • インフィニオンのSOIベースのソリューションは、一般的なジャンクション絶縁デバイスと比較してレベルシフト損失が50 %低いため、スイッチング周波数が100 kHzを超えるアプリケーションの高周波もサポートします。

インフィニオンのシリコン オン インシュレーター (SOI) 技術は、高電圧のレベルシフト技術であり、内蔵ブート ストラップ ダイオード (BSD) や業界最高クラスの堅牢性など、独自の利点を提供し、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは埋め込まれたシリコン酸化膜によって絶縁されているため、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラ トランジスタが排除されます。この技術はレベルシフトによる電力損失を低減し、またデバイスのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

pn 接合絶縁 (JI) 技術は、成熟した実証済みの業界標準のMOS/CMOS 製造技術です。当社独自の高電圧集積回路 (HVIC) およびラッチ耐性CMOS 技術により、堅牢なモノリシック構造を実現します。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

インフィニオンは、機能絶縁を必要とする500-700 Vアプリケーション向けのレベルシフト ゲートドライバーICの業界をリードするポートフォリオを提供しています。

これらのドライバーは、高速かつ高精度の過電流保護 (OCP)、低電圧ロックアウト (UVLO)、クロス導通防止ロジック、フォールト、イネーブル、シャットダウンなどのステータス インジケータなどの保護機能を備えた、さまざまな三相、ハーフブリッジ、またはハイサイド/ローサイド構成で利用できます。すべてのデバイスは、標準的な業界パッケージスタイルとフットプリントで提供されます。

500 V - 650 Vゲートドライバーは、マキシムのレベルシフト接合絶縁技術または当社独自のSOI (Silicon-on-Insulator) 技術で利用できます。

500V〜650 VのゲートドライバーICは、次のようなさまざまなパワー エレクトロニクス アプリケーションでIGBTを切り替え、エンハンスメント モードNチャネルMOSFETを提供します。

  • モータードライブ、TRENCHSTOP ™ IGBT6または600 V EasyPACK™モジュールを搭載した汎用インバーター
  • 冷凍コンプレッサー、IH調理器、その他RCDシリーズIGBTやTRENCHSTOP™ファミリーIGBTまたはそれらに相当するパワー ステージを持つ主要な家電製品
  • 電動工具、低電圧OptiMOS™ MOSFET、またはそれらと同等の電力段を使用する掃除機などの電池式小型家電製品
  • 高電圧CoolMOS™スーパージャンクションMOSFETまたはTRENCHSTOP™ H3およびWR5 IGBTシリーズを搭載した産業用SMPS用オフラインAC-DC電源のトーテムポール、ハーフブリッジ、フルブリッジ コンバータ
  • CoolMOS™スーパージャンクションMOSFETを搭載したハイパワーLED/HID照明
  • 電気自動車 (EV) 充電ステーションとバッテリー管理システム
  • 上記のアプリケーションで650 V SiC MOSFETを駆動
  • インフィニオンのSOIベースのソリューションは、一般的なジャンクション絶縁デバイスと比較してレベルシフト損失が50 %低いため、スイッチング周波数が100 kHzを超えるアプリケーションの高周波もサポートします。

インフィニオンのシリコン オン インシュレーター (SOI) 技術は、高電圧のレベルシフト技術であり、内蔵ブート ストラップ ダイオード (BSD) や業界最高クラスの堅牢性など、独自の利点を提供し、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは埋め込まれたシリコン酸化膜によって絶縁されているため、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラ トランジスタが排除されます。この技術はレベルシフトによる電力損失を低減し、またデバイスのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

pn 接合絶縁 (JI) 技術は、成熟した実証済みの業界標準のMOS/CMOS 製造技術です。当社独自の高電圧集積回路 (HVIC) およびラッチ耐性CMOS 技術により、堅牢なモノリシック構造を実現します。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

ドキュメント

EiceDRIVER™ 2EDL 600VハーフブリッジゲートドライバーICファミリーは、レベルシフターSOI(Silicon on Insulator)技術に基づいており、低抵抗の超高速ブートストラップダイオードを統合し、高効率と小型化をサポートします。

1200 Vシリコン オン インシュレーターは、マーケットリーダーのレベルシフト ゲートドライバーです。このビデオでは、インフィニオンのSOIを使用した製品の利点を紹介しています。例: ブート ストラップ ダイオードを内蔵し、レベルシフト損失が少ないため、スペースとコストを節約できます。

ゲートドライバーとは?ゲートドライバーを使用する理由ゲートドライバーの使い方は?紹介ビデオを見て、ゲートドライバーのエキスパートになりましょう。