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概要

XHP™ は、高電力アプリケーション向けの新しい柔軟なIGBT モジュールプラットフォームです。 1.7kV から6.5kV の範囲のXHP™ は、トラクション、CAV、中電圧ドライブなどの要求の厳しいアプリケーションに最適なソリューションを提供します。 このモジュールは、クラス最高の信頼性と最高の電力密度を備えたスケーラブルな設計を可能にします。

主な機能
  • スケーラブルな設計
  • クラス最高の信頼性
  • 最高レベルの出力密度を実現
  • 3.3 kV から6.5 kV までの電圧範囲
アプリケーション
商用車ソリューション
中電圧 (MV) ドライブ
トラクション

製品

概要

XHP™ ファミリーの特長

最新のポートフォリオ拡張は、この種のものとしては初めての4.5kVハーフブリッジおよびダイオードXHP™です:FF450R45T3E4_B5 & DD450S45T3E4_B5は、統合型2000～3300 V ACドライブの世界的なトレンドを実現する重要な手段です。

XHP™ IGBT モジュール - 最適な統合を保証

これらのモジュールは、XHP™ 2とXHP™ 3の2つのハウジングで提供されます。 どちらも同じ寸法で、長さ140 mm、幅100 mm、高さ40 mmです。これにより、製品設計者は、最適化された電力コンバーターの概念を満たすために、さまざまな電流および電圧定格にわたって同様なソリューションを構築する機会が得られます。新しいプラットフォームの開発における主な焦点は、顧客システムへの最適な統合を保証しながら、柔軟性と信頼性を実現することでした。

柔軟な高出力プラットフォームについて

パワーモジュールは、特に省エネ、制御ダイナミクス、ノイズリダクション、軽量化、体積削減の観点から、パワーエレクトロニクスシステム技術の急速な発展の原動力であることが証明されています。 パワー半導体は、主にエネルギーの生成と消費の間のエネルギーの流れを制御するために使用されます。これは正確にそして非常に低い損失で行われます。パワー半導体の性能の継続的な進歩は、パッケージング技術に対応する改善に対する要求を促進します。私たちは20年以上にわたってこの進化に貢献してきました。

ハイパワーIGBT モジュール用の新しいハウジングは、3.3kV から6.5kV までのIGBT チップの全電圧範囲をカバーするように設計されています。重要なイノベーションの1つは、システムの設計と製造を大幅に簡素化するスケーラビリティです。さらに、堅牢なアーキテクチャにより、新しい高出力プラットフォームは、厳しい環境条件のアプリケーションで長期的な信頼性を提供します。

XHP™ 3について

XHP™ 3は、3.3kV または6.5kV のアプリケーション向けに設計されており、ハーフブリッジスイッチ構成により、4.5kV および6.5kV 用の最初のハーフブリッジモジュールが生まれました。 モジュラーアプローチ、高電流密度による幅広いスケーラビリティ、およびメイン端子と補助端子の最適な配置で設計されており、それぞれ6kVと10.4kVの絶縁で利用できます。

XHP™ 2について

XHP™ 2は、1.7～3.3 kV の範囲のアプリケーション向けに設計されており、3つのAC端子と4つのDC 端子を備え、電力密度を最大化します。基本的なモジュールコンセプトによるXHP™ 2 パッケージのシンプルなスケーラビリティにより、将来のチップ世代や高速スイッチングデバイスに対応し、損失を最小限に抑えることができます。

XHP™ ファミリーの特長

最新のポートフォリオ拡張は、この種のものとしては初めての4.5kVハーフブリッジおよびダイオードXHP™です:FF450R45T3E4_B5 & DD450S45T3E4_B5は、統合型2000～3300 V ACドライブの世界的なトレンドを実現する重要な手段です。

XHP™ IGBT モジュール - 最適な統合を保証

これらのモジュールは、XHP™ 2とXHP™ 3の2つのハウジングで提供されます。 どちらも同じ寸法で、長さ140 mm、幅100 mm、高さ40 mmです。これにより、製品設計者は、最適化された電力コンバーターの概念を満たすために、さまざまな電流および電圧定格にわたって同様なソリューションを構築する機会が得られます。新しいプラットフォームの開発における主な焦点は、顧客システムへの最適な統合を保証しながら、柔軟性と信頼性を実現することでした。

柔軟な高出力プラットフォームについて

パワーモジュールは、特に省エネ、制御ダイナミクス、ノイズリダクション、軽量化、体積削減の観点から、パワーエレクトロニクスシステム技術の急速な発展の原動力であることが証明されています。 パワー半導体は、主にエネルギーの生成と消費の間のエネルギーの流れを制御するために使用されます。これは正確にそして非常に低い損失で行われます。パワー半導体の性能の継続的な進歩は、パッケージング技術に対応する改善に対する要求を促進します。私たちは20年以上にわたってこの進化に貢献してきました。

ハイパワーIGBT モジュール用の新しいハウジングは、3.3kV から6.5kV までのIGBT チップの全電圧範囲をカバーするように設計されています。重要なイノベーションの1つは、システムの設計と製造を大幅に簡素化するスケーラビリティです。さらに、堅牢なアーキテクチャにより、新しい高出力プラットフォームは、厳しい環境条件のアプリケーションで長期的な信頼性を提供します。

XHP™ 3について

XHP™ 3は、3.3kV または6.5kV のアプリケーション向けに設計されており、ハーフブリッジスイッチ構成により、4.5kV および6.5kV 用の最初のハーフブリッジモジュールが生まれました。 モジュラーアプローチ、高電流密度による幅広いスケーラビリティ、およびメイン端子と補助端子の最適な配置で設計されており、それぞれ6kVと10.4kVの絶縁で利用できます。

XHP™ 2について

XHP™ 2は、1.7～3.3 kV の範囲のアプリケーション向けに設計されており、3つのAC端子と4つのDC 端子を備え、電力密度を最大化します。基本的なモジュールコンセプトによるXHP™ 2 パッケージのシンプルなスケーラビリティにより、将来のチップ世代や高速スイッチングデバイスに対応し、損失を最小限に抑えることができます。

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