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概要

RC-Hデバイスは、スイッチング損失と導通損失が非常に低く、熱性能が向上し、消費電力が削減されます。これらは、高い周囲温度環境でも、共振スイッチングアプリケーションに対して最高の信頼性を保証します。ソフトスイッチング動作用に最適化されているため、優れたEMI動作を提供するため、フィルタリング要件が少なくなり、最終的にはシステムコストが削減されます。

プロダクツ

に関しては

逆導通(RC-H)IGBTのご紹介

モノリシックに統合されたダイオードを備えたRC-H IGBTは、IHクッキングヒーター、インバーター式電子レンジ、炊飯器などのソフトスイッチングアプリケーションに最適です。

TI は、業界をリードする TRENCHSTOP™ ファミリーの性能と革新的な RC-H IGBT 技術を組み合わせて、新世代のクラス最高のデバイスを生み出しています。

RC-H IGBTは、IGBT用のローサイドおよびハーフブリッジゲートドライバーであるEiceDRIVER™ファミリーと完全に一致します。

ゲートドライバICの詳細
650V逆導通R6について

モノリシック・ダイオードを搭載したR6 IGBTファミリーは、最大75kHzまでのすべてのハーフブリッジ共振スイッチング・アプリケーションにおいて、電力損失とEMI動作の完璧なトレードオフを提供します。

650V R6ポートフォリオは、30A、40A、50Aの3つの電流クラスでリリースされ、最も低いVCEsatを提供して最高の効率を実現するとともに、ターンオフ損失を低減し、ダイオードの性能を全体的に向上させています。改良されたダイオードのおかげで、VFが低減され、ゲート電圧の依存性がほぼ完全に排除されました。650V R6デバイスは、既存のゲートドライバソリューションと優れた互換性を示しています。

これらの製品には、従来の650 V R5世代と比較して、IGBT VCEsatが5%削減され、ダイオード順方向電圧が12%減少し、VGEから独立したダイオード順電圧など、重要な主要機能が組み込まれています。Tj(max)は175°Cで、製品は低EMIのためのソフト電流ターンオフ波形で構成されています。

主な利点は、特に、最大75kHzのハーフブリッジ共振コンバータでデバイスの消費電力が最も低いこと、ハーフブリッジIHアプリケーション向けのプラグアンドプレイソリューション、および信頼性を高めるための優れた熱管理です。

650 V、1100 V、1200 V、1350 V、1600 V逆導通R5について

R5ファミリーは、20A、30A、40Aの3つの電流クラスで提供され、650V、1200V、1350Vのブロッキング電圧に対応します。

1600V R5は、ハイエンドのIHクッキングヒーターアプリケーションの高信頼性要求に合わせて開発および最適化された最新世代の逆導通IGBTを完成させ、低スイッチングでクラス最高の効率を提供し、ソフトスイッチングアプリケーション向けの導通損失を提供します。1600V R5は、30Aの電流クラスで入手可能です。

幅広い電流クラスと電圧クラスを備えた逆導通R5ファミリーは、IH調理器やインバーター式電子レンジなどの共振スイッチングトポロジーに基づく家電製品向けのIGBTの最も包括的な製品です。さらに、1100V R5は30Aの電流クラスで入手可能です。

これらの製品には、Tj(max)175°C、高く安定したV(BR)CES、前世代のR3と比較してスイッチング損失が30%低減されているなど、重要な主要機能が組み込まれています。

主な利点は、とりわけ、最大スイッチング周波数動作の増加、最小の消費電力、より優れた熱管理、最高の信頼性、およびシステムコストの削減です。

1200V逆導通E1について

逆導通E1ファミリーは、15Aおよび25Aの電流クラスで提供され、1200Vのブロッキング電圧に対応します。逆導通E1技術は、利用可能なRC-Hファミリの中で最高のコストポジションを保証するために最適化されています。優れた熱性能と低EMIフィルタリング要件を特長としているため、システム全体のコストと設計作業が削減されます。

Tj(max)150°C、低EMIのソフト電流ターンオフ波形、コスト最適化などの重要な特長を組み込んでおり、前世代のR3と比較して導通損失を10%低減しています。

主な用途

650 V/1100 V/1200 V/1350 V/1600 V RC-H逆導通IGBTは、IH調理器、インバータ式電子レンジ、IH炊飯器、IHシングルバーン調理器など、さまざまなアプリケーションで使用できます。

約1400V逆導通R5L

TO-247 3ピンパッケージに逆導通ダイオードをモノリシックに集積した1400V逆導通R5Lは、IH調理器アプリケーションの特定の要件を満たすように特別に設計されており、改良された垂直設計とエッジ終端により、既存の逆導通R5ファミリーと比較して損失分布を狭くするインフィニオンの技術を次のレベルに具現化しています。

逆導通R5Lファミリーは、20A、25A、30A、40Aの4つの電流クラスで提供され、ブレークダウン電圧は1400Vに増加し、誘導加熱装置で低い導通損失とスイッチング損失を示し、信頼性の向上、最適な熱性能、および設計の柔軟性の向上を実現します。

これらの製品には、1350V逆導通R5と比較してVfが8%向上したこと、非常に厳密な損失分布、温度安定動作によるブレークダウン電圧の増加、新しい電流クラスの25Aの拡張など、重要な主要機能が組み込まれています。

主な利点は、とりわけ、電力損失の最小化、冷却作業の削減によるエネルギー効率の向上、抵抗性の低い調理器具によるストレスの低減、寿命、ピークコレクタ電流能力の向上です。

逆導通(RC-H)IGBTのご紹介

モノリシックに統合されたダイオードを備えたRC-H IGBTは、IHクッキングヒーター、インバーター式電子レンジ、炊飯器などのソフトスイッチングアプリケーションに最適です。

TI は、業界をリードする TRENCHSTOP™ ファミリーの性能と革新的な RC-H IGBT 技術を組み合わせて、新世代のクラス最高のデバイスを生み出しています。

RC-H IGBTは、IGBT用のローサイドおよびハーフブリッジゲートドライバーであるEiceDRIVER™ファミリーと完全に一致します。

ゲートドライバICの詳細

650V逆導通R6について

モノリシック・ダイオードを搭載したR6 IGBTファミリーは、最大75kHzまでのすべてのハーフブリッジ共振スイッチング・アプリケーションにおいて、電力損失とEMI動作の完璧なトレードオフを提供します。

650V R6ポートフォリオは、30A、40A、50Aの3つの電流クラスでリリースされ、最も低いVCEsatを提供して最高の効率を実現するとともに、ターンオフ損失を低減し、ダイオードの性能を全体的に向上させています。改良されたダイオードのおかげで、VFが低減され、ゲート電圧の依存性がほぼ完全に排除されました。650V R6デバイスは、既存のゲートドライバソリューションと優れた互換性を示しています。

これらの製品には、従来の650 V R5世代と比較して、IGBT VCEsatが5%削減され、ダイオード順方向電圧が12%減少し、VGEから独立したダイオード順電圧など、重要な主要機能が組み込まれています。Tj(max)は175°Cで、製品は低EMIのためのソフト電流ターンオフ波形で構成されています。

主な利点は、特に、最大75kHzのハーフブリッジ共振コンバータでデバイスの消費電力が最も低いこと、ハーフブリッジIHアプリケーション向けのプラグアンドプレイソリューション、および信頼性を高めるための優れた熱管理です。

650 V、1100 V、1200 V、1350 V、1600 V逆導通R5について

R5ファミリーは、20A、30A、40Aの3つの電流クラスで提供され、650V、1200V、1350Vのブロッキング電圧に対応します。

1600V R5は、ハイエンドのIHクッキングヒーターアプリケーションの高信頼性要求に合わせて開発および最適化された最新世代の逆導通IGBTを完成させ、低スイッチングでクラス最高の効率を提供し、ソフトスイッチングアプリケーション向けの導通損失を提供します。1600V R5は、30Aの電流クラスで入手可能です。

幅広い電流クラスと電圧クラスを備えた逆導通R5ファミリーは、IH調理器やインバーター式電子レンジなどの共振スイッチングトポロジーに基づく家電製品向けのIGBTの最も包括的な製品です。さらに、1100V R5は30Aの電流クラスで入手可能です。

これらの製品には、Tj(max)175°C、高く安定したV(BR)CES、前世代のR3と比較してスイッチング損失が30%低減されているなど、重要な主要機能が組み込まれています。

主な利点は、とりわけ、最大スイッチング周波数動作の増加、最小の消費電力、より優れた熱管理、最高の信頼性、およびシステムコストの削減です。

1200V逆導通E1について

逆導通E1ファミリーは、15Aおよび25Aの電流クラスで提供され、1200Vのブロッキング電圧に対応します。逆導通E1技術は、利用可能なRC-Hファミリの中で最高のコストポジションを保証するために最適化されています。優れた熱性能と低EMIフィルタリング要件を特長としているため、システム全体のコストと設計作業が削減されます。

Tj(max)150°C、低EMIのソフト電流ターンオフ波形、コスト最適化などの重要な特長を組み込んでおり、前世代のR3と比較して導通損失を10%低減しています。

主な用途

650 V/1100 V/1200 V/1350 V/1600 V RC-H逆導通IGBTは、IH調理器、インバータ式電子レンジ、IH炊飯器、IHシングルバーン調理器など、さまざまなアプリケーションで使用できます。

約1400V逆導通R5L

TO-247 3ピンパッケージに逆導通ダイオードをモノリシックに集積した1400V逆導通R5Lは、IH調理器アプリケーションの特定の要件を満たすように特別に設計されており、改良された垂直設計とエッジ終端により、既存の逆導通R5ファミリーと比較して損失分布を狭くするインフィニオンの技術を次のレベルに具現化しています。

逆導通R5Lファミリーは、20A、25A、30A、40Aの4つの電流クラスで提供され、ブレークダウン電圧は1400Vに増加し、誘導加熱装置で低い導通損失とスイッチング損失を示し、信頼性の向上、最適な熱性能、および設計の柔軟性の向上を実現します。

これらの製品には、1350V逆導通R5と比較してVfが8%向上したこと、非常に厳密な損失分布、温度安定動作によるブレークダウン電圧の増加、新しい電流クラスの25Aの拡張など、重要な主要機能が組み込まれています。

主な利点は、とりわけ、電力損失の最小化、冷却作業の削減によるエネルギー効率の向上、抵抗性の低い調理器具によるストレスの低減、寿命、ピークコレクタ電流能力の向上です。

書類

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