SI4410DY

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

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SI4410DY
SI4410DY
データシート

Product details

  • Ciss
    1585 pF
  • Coss
    739 pF
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    6.5 nC
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    13.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    20 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th) min
    1 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Low Switching Losses
  • Low Conduction Losses

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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