Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FS128SAGMFB103

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S25FS128SAGMFB103
S25FS128SAGMFB103
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S25FS128SAGMFB103
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 2100
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 2100
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FS128SAGMFB103は128 Mbit（16 MB）の車載グレードSPI NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャにより高速なプログラム・消去性能を実現。動作電圧は1.7 V～2.0 V、最大133 MHz SDRと多様なI/Oモードに対応し、読出し速度は最大66 MBps（SDR）、80 MBps（DDR）。堅牢なデータ保護とAEC-Q100 Grade 1認証取得で、高信頼性が求められる車載や産業用途に最適です。

機能

  • マルチI/O対応SPIインターフェース
  • DDR・QPI読出しモード
  • 256/512バイト書込バッファ
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/均一セクタ消去
  • 10万回以上の書換耐久性
  • 20年以上のデータ保持
  • 1.7～2.0V動作電圧
  • 最大+125°C動作温度
  • SFDPパラメータ対応
  • 高度なセクタ・ブロック保護
  • 65 nm MIRRORBIT™技術

利点

  • 柔軟な接続で多様な機器に対応
  • DDR/QPIで高速データアクセス
  • 大小ページで効率的書込
  • ECCで信頼性の高いデータ
  • 消去方式で幅広い用途に対応
  • 頻繁な更新に強い高耐久
  • 長期データ保存が可能
  • 低電圧で省エネ設計
  • 高温環境でも安定動作
  • 設定・互換性が容易
  • セキュリティ強化
  • 高密度・低コストを実現

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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