パワーブロック

概要

30mm²のフットプリントで50Aに対応した非対称ハーフブリッジ

OptiMOS™ 5 パワーブロックは5.0x6.0mm²の外観のリードレスSMDパッケージで、ローサイド/ハイサイドMOSFETを同期バックコンバータ構成にした製品です。SO8やSuperSO8などの2つのディスクリートパッケージを使う必要がなくなったため、このOptiMOS™ 5 パワーブロックをお使いいただくことでお客様は実装面積を少なくとも50%は低減できます。パワーパッケージの標準化は、市販のパッケージの種類が少なくなるため、お客様にとっては利点となります。

業界標準の効率性と大電流処理能力

OptiMOS™ 5 パワーブロックにはインフィニオンの最新世代のMOSFETが使われており、非常に低いオン抵抗(RDS(on))と性能指数(Qg, Qgd)を実現します。ローサイドMOSFETのソースダウン接続により、大きなPGNDパッドを有効にしてPCBに対する熱的結合を高めているため、レイアウトをまとめやすく、電磁干渉も抑えられます。OptiMOS™ドライバ（PX3519、PX3517）や各種コントローラ製品とともに、インフィニオンは50Aまでの電流処理能力と95%の優れたピーク効率を実現する、低電圧DC-DC電力変換用の優れたディスクリートソリューションを提供します。このソリューションにより、設計者はスイッチング周波数と電力密度を高めて設計内容を最適化し、全体的な部品コストを削減できます。

Symmetric half-bridge MOSFET solution enabling 50% improvement in power density
Power-Block Product image

OptiMOS™ 6 40 V & OptiMOS™ 5 100 V Symmetric power block (Q1 & Q2 of similar RDS(on)) integrates a low-side and a high-side MOSFET in a compact leadless SMD 6.3x6.0 mm² package targeting a variety of applications (drives, SMPS). By replacing two separate discrete packages, ex: SuperSO8 (PQFN 5x6), customers can shrink the power section on the board by at least 50%.

High performance and high current handling

The MOSFET half-bridge family features Infineon’s proven OptiMOS™ 5 & 6 technologies, offering very low on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (Qg, Qgd).

The reduction in the parasitic inductance of the package results in improved switching performance & EMI, as well as reduced overall BOM cost.

Optimized lead-frame and Cu-clip significantly improves thermal performance of the package. The dual-side cooling version of the package boosts the power throughput by an additional 25%.

Key features Key benefits Potential applications
  • High chip/package ratio
  • Optimized lead-frame and Cu-clip design
  • Internally connected low-side and high side (lowest loop inductance)
  • Dual-side cooling available
  • High power capability
  • Optimum thermal performance
  • Compact and simplified layout design
  • Superior switching performance/EMI
Infineon package picture Power package TISON-8-4

OptiMOS™ 5 power block is a leadless SMD 5.0x6.0 mm² small outline package, integrating a low-side and a high-side MOSFET targeting synchronous rectification buck converter applications. By replacing two separate discrete packages, such as SO8 or SuperSO8, with the space-saving MOSFET package, OptiMOS™ 5 power block 5x6 customers can shrink their designs by at least 50%. Standardizing power packages benefits the customer, as the number of different package outlines available on the marketplace is minimized.

Benchmark efficiency and high current handling

The MOSFET half-bridge family features Infineon’s proven OptiMOS™ 5 technology, which offers low on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (Qg, Qgd). The source-down connection of the low-side MOSFET results in a big PGND pad which significantly improves the thermal junction to the board, simplifying the layout and reducing EMI. This solution allows engineers to optimize their designs by increasing switching frequency and power density as well as reducing overall BOM costs.

Key features Key benefits Potential applications
  • 50 A max average load current
  • Source-down low side MOSFET for better PCB cooling
  • Internally connected low-side and high side (lowest loop inductance)
  • High side Kelvin connection for more efficient driving
  • High power capability
  • Optimum thermal performance
  • Compact and simplified layout for a DC-DC converter
  • Optimized layout with lowest loop inductivity 
  • Desktop and server
  • Single-phase & multi-phase POL
  • CPU/GPU regulation in notebooks & DDR memory
  • High power density voltage regulator
製品
詳細
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OptiMOS™ and StronIRFET™ selection guide button

主な特長

  • 最大50Aの平均負荷電流
  • ローサイドMOSFETのソースダウン接続により良好なPCB冷却
  • ローサイドとハイサイドを内部で接続（ループインダクタンス最小）
  • ハイサイドのケルビン接続により駆動効率向上

主な利点

  • DC-DCコンバータのレイアウトを小型化および簡素化
  • レイアウト最適化により最小のループインダクタンスと最良の熱性能

主なアプリケーション

  • デスクトップおよびサーバ
  • 単相および多相POL
  • ノートPCおよびDDRメモリのCPU/GPU電圧安定化
  • 高電力密度の電圧レギュレータ
トレーニング
サポート