パワーブロック
優れた電力密度を実現するデュアルMOSFETソリューション
パワーブロックパッケージのコンセプトでは、制御用MOSFETと同期用MOSFETの両方をパッケージ内に集積しています。これにより、通常は2つのディスクリートMOSFETソリューションを使用するハーフブリッジ構成のQ1/Q2 FETを1つのパッケージで置き換えることができ、優れた電力密度、超低寄生、高効率を実現します。ドライブ、SMPSなど、ハーフブリッジ構成を必要とする、あらゆるアプリケーションに使用できます。
OptiMOS™ 6 40 V および OptiMOS™ 5 100 V対称型パワーブロック (Q1とQ2のRDS(on) が同等) は、さまざまなアプリケーション (ドライブ、SMPS) をターゲットに、ローサイドとハイサイドのMOSFETをコンパクトなリードレスSMD パッケージ (6.3 x 6.0 mm²) に集積しています。SuperSO8 (PQFN5x6) など、2つの個別ディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50%縮小できます。
高性能、高い電流処理能力
MOSFETハーフブリッジ・ファミリーは、インフィニオンの実績あるOptiMOS™ 5および6技術を搭載しており、非常に低いオン抵抗 (RDS(on)) と長所指数 (Qg、Qgd) を提供します。
パッケージの寄生インダクタンスを低減することで、スイッチング性能とEMIを改善し、全体的なBOMコストを削減します。
最適化されたリードフレームとCuクリップにより、パッケージの熱性能が大幅に向上しています。パッケージの両面放熱バージョンでは、電力スループットがさらに25%向上します。
| 主な特長 | 主な利点 | アプリケーション |
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OptiMOS™ 5 パワーブロックは、ローサイドとハイサイドのMOSFETを統合した、同期整流降圧コンバータアプリケーション向けのリードレスSMD (5.0 x 6.0 mm²) 小型アウトラインパッケージです。SO8やSuperSO8、2つの個別ディスクリートパッケージを小型MOSFETパッケージに置き換えることで、OptiMOS™ 5パワーブロック5x6のお客様は、設計を少なくとも50%縮小可能です。パワーパッケージを標準化することで、市場で入手可能なさまざまなパッケージのアウトラインの数が最小化されるため、お客様にとってもメリットがあります。
業界標準効率および高い電流処理性能
MOSFETハーフブリッジ ファミリーは、定評あるインフィニオンのOptiMOS™ 5技術を搭載しており、低いオン抵抗 (RDS(on)) と優れた性能指数 (Qg、Qgd) を実現します。ローサイドMOSFETのソースダウン接続により、大きなPGNDパッドが接合部から基板への熱抵抗を大幅に低減し、レイアウトの簡素化とEMIの低減を実現します。エンジニアは、本ソリューションによりスイッチング周波数と電力密度を高め、全体的なBOMコストを削減し、設計を最適化できます。
| 主な特長 | 主な利点 | アプリケーション |
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