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IRHNJ67C30

データシート
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IRHNJ67C30
IRHNJ67C30
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    2.2 A
  • ID (@25°C) max
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL型番
    2N7598U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    2900 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJ67C30 is a high-performance power MOSFET for space applications. With 600V and 3.4A, this R6 single MOSFET is packaged in a SMD-0.5 and can withstand up to 100krad(Si) TID radiation. Its very low RDS(on) and faster switching times reduce power loss and increase power density, making it ideal for high-speed switching applications such as DC-DC converters and motor controllers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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