IRHNJ67C30
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IRHNJ67C30

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IRHNJ67C30
IRHNJ67C30
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    2.2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL型番
    2N7598U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    2900 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJ67C30 is a high-performance power MOSFET for space applications. With 600V and 3.4A, this R6 single MOSFET is packaged in a SMD-0.5 and can withstand up to 100krad(Si) TID radiation. Its very low RDS(on) and faster switching times reduce power loss and increase power density, making it ideal for high-speed switching applications such as DC-DC converters and motor controllers.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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