IRFB812

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
データシート

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IRFB812
IRFB812
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    3.6 A
  • Ptot max
    78 W
  • Qgd
    4.8 nC
  • QG (typ @10V)
    13.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2200 mΩ
  • RthJC max
    1.6 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    500 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

用途

ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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