新規設計は非推奨

GS-EVB-IMS3-66516B-GS

Horizontal insulated metal substrate GaNPX evaluation platform
ユーザーマニュアル

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GS-EVB-IMS3-66516B-GS
GS-EVB-IMS3-66516B-GS
ユーザーマニュアル

製品詳細

  • スイッチング周波数 max
    10 kHz
  • 入力タイプ
    DC
  • 入力電圧 max
    400 V
OPN
GSEVBIMS366516BGSTOBO1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
This horizontal insulated metal substrate (IMS3) evaluation platform can be used to evaluate the electrical and thermal performance benefits of GaNPX bottom-side cooled e-modes in high-power applications. The optimized thermal and electrical designs provide an excellent reference for implementing a low cost, high performance design.

機能

  • Horizontal insulated metal substrate
  • Increased power density
  • Reduced system cost

利点

  • Improved heat transfer
  • Increased power density
  • Reduced system cost
  • High thermal conductivity (7.0 W/mK)

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ドキュメント

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