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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

ISP26DP06NMS

生産終了
P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ
代替品

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ISP26DP06NMS
ISP26DP06NMS
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -1.9 A
  • IDpuls max
    -7.6 A
  • Ptot max
    5 W
  • QG (typ @10V)
    -10.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    260 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • パッケージ
    SOT223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.12
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
  • 特別な機能
    Small Power
OPN
ISP26DP06NMSATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ P-channel small signal MOSFETs 60V in SOT-223 package is the new technology targeted for consumer applications . The main advantage of a P-channel small signal device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Enabling fast switching, avalanche ruggedness and an easy interface to microcontroller unit (MCU), also featuring a very low on-resistance RDS(on). It is available in logic level.

機能

  • VDS= -60V
  • Very low on-resistance RDS(on)
  • 100% avalance tested
  • Logic level
  • Qualified according to JEDEC standard
0

利点

  • Easy interface to MCU
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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