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インフィニオンのPressFITテクノロジーは、パワーモジュールのはんだレス実装の可能性を提供し、鉛フリー技術の要求を満たします。PressFITは、パワーモジュールの鉛フリーはんだレス実装を可能にし、時間の節約を可能にします。電気的および熱的接触抵抗が低いため、この接点は幅広い電流帯および用途に適しています。環境試験では、振動負荷が接触抵抗に悪影響を及ぼさないことが示されています。

製品

概要

前述のように、PressFIT技術はパワーモジュールの鉛フリーはんだレス実装を可能にします。さらに、アセンブリの迅速な取り付けの可能性を提供するため、プロセス時間とコストを節約し、より高い生産能力の可能性を秘めています。PCBのはんだ付け側または部品側のいずれにもモジュールを取り付けることができるため、最新の組立ラインの要件を満たすためのさらなる柔軟性が提供されます。

通常、2つの接触面が形成されている場合、金属と金属が接触し、電流を流せる点はごくわずかで、これは研磨された表面にも当てはまります。 このような微細な金属間接触の最小半径は、一般的には10μmです。 PressFITのような圧入技術では、接触範囲内にこれらの真に効果的な接点に対する常に必要な塑性変形があります。巨視的な接触力が小さな微小な接触領域に集中するために発生する高い接触圧力により、接触半径が増加します。つまり、2つの面が接合されます。

有効接触範囲が増加し、腐食環境に対して非常に堅牢な気密接触領域が形成されます。接合原理は、よく知られている冷間溶接効果です。ここで、両方の接触面の塑性変形から自由電子が発生します。金属結合電子雲は自由電子を連結し、塩基性金属と同じメカニズムで再び接続します。結合力は確かに前の格子よりも低くなっていますが、再結晶効果のために接続の最初の数時間以内に増加しています。

PressFITテクノロジーの適用とパワーモジュールでの信頼性に関するいくつかのテストは、よく知られているIEC規格(IEC 60352-5など)に従って実行されていますが、条件は強化されています。 プログラム全体の結果は次のように結論付けることができます:どのテストも測定可能な接触劣化を引き起こしませんでした。 接続の品質の主要な指標である接触抵抗は、数回の負荷印加中および負荷印加後に非常に安定しています。 これは、大電流を製品寿命にわたって安全に処理できるだけでなく、低電圧および低電流の高度な付随機能(電流検出など)がシステムの寿命を超えて安定していることを意味します。 このため、PressFITテクノロジーは、特に将来的な高信頼性要求に対応するパワー半導体モジュールに最適です。

前述のように、PressFIT技術はパワーモジュールの鉛フリーはんだレス実装を可能にします。さらに、アセンブリの迅速な取り付けの可能性を提供するため、プロセス時間とコストを節約し、より高い生産能力の可能性を秘めています。PCBのはんだ付け側または部品側のいずれにもモジュールを取り付けることができるため、最新の組立ラインの要件を満たすためのさらなる柔軟性が提供されます。

通常、2つの接触面が形成されている場合、金属と金属が接触し、電流を流せる点はごくわずかで、これは研磨された表面にも当てはまります。 このような微細な金属間接触の最小半径は、一般的には10μmです。 PressFITのような圧入技術では、接触範囲内にこれらの真に効果的な接点に対する常に必要な塑性変形があります。巨視的な接触力が小さな微小な接触領域に集中するために発生する高い接触圧力により、接触半径が増加します。つまり、2つの面が接合されます。

有効接触範囲が増加し、腐食環境に対して非常に堅牢な気密接触領域が形成されます。接合原理は、よく知られている冷間溶接効果です。ここで、両方の接触面の塑性変形から自由電子が発生します。金属結合電子雲は自由電子を連結し、塩基性金属と同じメカニズムで再び接続します。結合力は確かに前の格子よりも低くなっていますが、再結晶効果のために接続の最初の数時間以内に増加しています。

PressFITテクノロジーの適用とパワーモジュールでの信頼性に関するいくつかのテストは、よく知られているIEC規格(IEC 60352-5など)に従って実行されていますが、条件は強化されています。 プログラム全体の結果は次のように結論付けることができます:どのテストも測定可能な接触劣化を引き起こしませんでした。 接続の品質の主要な指標である接触抵抗は、数回の負荷印加中および負荷印加後に非常に安定しています。 これは、大電流を製品寿命にわたって安全に処理できるだけでなく、低電圧および低電流の高度な付随機能(電流検出など)がシステムの寿命を超えて安定していることを意味します。 このため、PressFITテクノロジーは、特に将来的な高信頼性要求に対応するパワー半導体モジュールに最適です。

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