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BGS14PN10

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パッケージ
EA.
在庫あり

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BGS14PN10
BGS14PN10
EA.
データシート

Product details

  • Pmax max
    40 dBm
  • スイッチ タイプ
    SP4T
  • 制御インターフェース
    GPIO
  • 周波数範囲
    0.5 - 6.0 GHz
  • 挿入損失 (@1GHz)
    0.18 dB
  • 絶縁 (@1GHz)
    41 dB
  • 電源電圧
    1.8 - 3.6 V
推奨
OPN
BGS14PN10E6327XTSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
TSNP-10-1
パッケージ名 N/A
包装サイズ 7500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TSNP-10-1
パッケージ名 -
包装サイズ 7500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGS14PN10 is a Single Pole Quad Throw (SP4T) high linearity, high power RF switch optimized for mobile phone applications up to 6.0 GHz. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a two simple, CMOS or TTL compatible control input signals. Unlike GaAs technology, the 0.1 dB compression point exceeds the switch maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels and external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. The BGS14PN10 enables critical band combinations for UL (B1 + B3), (B2+B4), DL-CA (B4 + B12) and SV-LTE (B5 + B13). This device handles very high transmitting signal levels of up to 38 dBm, while at the same time exhibiting low losses to conserve battery power. Ultra high linearity devices have a significant impact on system sensitivity. For instance, 3 dBm more linearity in whole RF-front-end leads to 6 dB better signal-to-noise ratio. Hence, data rate speed is improved by up to 40% allowing a step e.g. from 20 Mbps (QAM16 4/5) to 33 Mbps (QAM64 4/5). The BGS14PN10 stands for Best-in-Class ISO and IL performance across all frequencies.

機能

  • High max RF power: 38 dBm
  • Two ultra-low loss ports (RF1 and RF3):
  • 0.19 dB @ f=0.9 GHz, PIN=38dBm
  • 0.29 dB @ f=1.9 GHz, PIN=38dBm
  • 0.51 dB @ f=2.7 GHz, PIN=33dBm
  • 1.20 dB @ f=3.8 GHz, PIN=33dBm
  • 1.90 dB @ f=5.8 GHz, PIN=33dBm
  • Two low loss ports (RF2 and RF4):
  • 0.32 dB @ f=0.9 GHz, PIN=38dBm
  • 0.40 dB @ f=1.9 GHz, PIN=38dBm
  • 0.64 dB @ f=2.7 GHz, PIN=33dBm
  • 1.19 dB @ f=3.8 GHz, PIN=33dBm
  • 1.78 dB @ f=5.8 GHz, PIN=33dBm
  • No DC decoupling components required, if no external DC is
  • applied on RF ports
  • High ESD robustness
  • Low harmonic generation
  • High linearity
  • RF1/RF3 72 dBm IIP3
  • RF2/RF4 74 dBm IIP3
  • No power supply blocking required
  • Supply voltage range: 1.8 to 3.6V
  • No insertion loss change within supply voltage range
  • No linearity change within supply voltage range
  • 0.5 to 6.0 GHz coverage
  • Small form factor 1.1 mm x 1.5 mm
  • 400 µm pad pitch
  • RoHS and WEEE compliant package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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