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生産終了
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RoHS準拠
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BGAU1A10

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データシート
パッケージ

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BGAU1A10
BGAU1A10
データシート

Product details

  • ICC
    5 mA
  • IIP3
    -8 dBm
  • IP1dB
    -18 dBm
  • NF
    1.7 dB
  • P-1dB (in)
    -18 dBm
  • VCC 動作時
    1.6 - 1.9 V
  • ゲイン @ f
    20.5 dB
  • サイズ
    1.1 x 1.5 mm²
  • 周波数
    5150 - 5925 MHz
OPN
BGAU1A10E6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
ATSLP-10-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
ATSLP-10-3
パッケージ名 -
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The LTE data rate can be significantly improved by using the high gain LNA. The integrated gain control and bypass function increases the overall system dynamic range and leads to more flexibility in the front-end. In high gain mode the BGAU1A10 offers best noise figure to ensure high data rates even on the LTE cell edge.Closer to the base station the bypass mode can be activated reducing current consumption. Thanks to the MIPI control interface, control lines are reduced to a minimum.

機能

  • Operating frequencies: 5.15 - 5.925 GHz
  • Insertion power gain: 20.5 dB
  • Gain dynamic range: 27 dB
  • Low noise figure: 1.6 dB
  • Low current consumption: 5.0 mA
  • Multi-state control: Gain- and bypass-Modes
  • Small ATSLP leadless package
 

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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