新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

2EDF7175F

Fast, robust, dual-channel, functional isolated MOSFET gate drivers with accurate and stable timing
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

2EDF7175F
2EDF7175F
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    4.2 V
  • VBS UVLO (Off)
    3.9 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge, High-side and low-side, High-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    NB-DSO-16
  • 伝搬遅延オフ
    35 ns
  • 伝搬遅延オン
    37 ns
  • 入力 Vcc
    3 V to 3.3 V
  • 入力側供給
    20 V
  • 出力電流 (Sink)
    2 A
  • 出力電流 (Source)
    1 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
OPN
2EDF7175FXUMA2
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The EiceDRIVER™ 2EDF7275F is the perfect fit for robust and stable operation for primary side control of high- and low-side MOSFETs in noisy high-power switching environments. The strong 4A/8A source/sink dual-channel gate drivers provide a fast turn on/off when driving high- and medium-voltage MOSFETs such as CoolMOS™ or OptiMOS™. Both output channels are individually isolated and can be used as floating gate drivers with high 150V/ns CMTI.

機能

  • Fast power switching with accurate timing
  • Optimized for area and low cost system BOM
  • Robust design against switching noise
  • Output-to-output channel isolation
  • Input-to-output channel isolation

利点

  • Power efficiency and high resolution PWM control
  • Cooler package at smaller form factor
  • Protection and safe operation
  • Flexible assignment of any driver channel
  • Floating gate drive & regulatory safety

System values

  • Enabling higher power stage efficiency and higher power density designs
  • Improving long term competitive cost position, integration and mass manufacturability
  • Improved end-product lifetime by improved safe operation of power switches
  • Lower EMI by ground isolation, driver proximity to MOSFETs or use of Kelvin source MOSFETs
  • Meeting requirements to build isolated AC-DC, DC-DC half bridges topologies

図

Device_pin_assignment_2edf7275F
Device_pin_assignment_2edf7275F
Device_pin_assignment_2edf7275F Device_pin_assignment_2edf7275F Device_pin_assignment_2edf7275F
ApplicationDiagram_2EDF7275F ApplicationDiagram_2EDF7275F ApplicationDiagram_2EDF7275F
×
modalImg

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }