Infineon und Enphase Energy kündigen weltweit erste 900-V-GaN-Bidirektionalschalter für Solid-State-Transformer in KI-Rechenzentren an

Technology News

Oct 26, 2026

München, 26. Oktober 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert die weltweit ersten monolithischen bidirektionalen 900-V-GaN-Schalter (bi-directional switch, BDS) an Enphase Energy, ein globales Energietechnologie-Unternehmen. Die Bauteile werden in den Solid-State-Transformer (SST)-Leistungsmodulen von Enphase eingesetzt. Durch die Erweiterung des Spannungsbereichs der GaN-Technologie auf 900 V bei gleichzeitigem Erhalt ihrer Hochfrequenz-Schalteigenschaften ermöglichen die Schalter hocheffiziente und kompakte Leistungswandlungsarchitekturen für neue Anwendungen, darunter KI-Rechenzentren. 

SSTs entwickeln sich zu einem zentralen Baustein künftiger Stromverteilungsarchitekturen, bei denen Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit entscheidende Anforderungen sind. Während Siliziumkarbid (SiC) in Hochspannungs-Stromwandlungssystemen weit verbreitet ist, erweitert der neue monolithische CoolGaN™ 900 V BDS das Lösungsportfolio für SST-Architekturen, die von Hochfrequenzbetrieb und integrierter bidirektionaler Schaltfunktion profitieren. 

„Die Zukunft der Stromumwandlung wird durch ein breites Portfolio an Halbleitertechnologien ermöglicht“, sagt Adam White, Division President Power Systems bei Infineon. „Mit unserem neuen 900 V CoolGaN BDS erweitern wir das Anwendungsspektrum, in dem Kunden von den GaN-Vorteilen hinsichtlich Effizienz und Leistungsdichte profitieren können. Damit erschließen wir eine Spannungsklasse, die neue Möglichkeiten für leistungsstarke Stromwandlungssysteme eröffnet.“ 

Die Zusammenarbeit kommt direkt dem IQ® Solid-State-Transformer von Enphase für KI-Rechenzentren zugute. Dort haben Leistungsdichte, Effizienz und Verfügbarkeit unmittelbaren Einfluss auf die Wirtschaftlichkeit jedes installierten Megawatts. Die gleiche Technologie wird voraussichtlich auch Solarwechselrichtern für gewerbliche Anlagen zugutekommen, indem sie dreiphasige Leiter-Leiter-Designs für 480 V-Anwendungen in den USA und 400 V-Anwendungen in anderen Regionen ermöglicht. Dadurch werden weniger Schaltelemente benötigt, Verluste reduziert und die Systemkosten gesenkt. 

„GaN ist für uns keine neue Technologie. Das Material ist bereits in den IQ9-Mikroinvertern von Enphase im Praxiseinsatz. Diese Erfahrung hat uns das Vertrauen gegeben, die Technologie auch in Megawatt-Systemen einzusetzen“, sagt Hans van Antwerpen, Senior Vice President und Chief Technology Officer von Enphase Energy. „Der Schritt zu 900 V verschafft uns mehr Spannungsspielraum, während die Vorteile des Hochfrequenzschaltens erhalten bleiben. Dadurch können wir Wandlungsstufen aus dem System nehmen und die Anzahl der Komponenten im Leistungspfad reduzieren. Das führt zu höherer Effizienz und Leistungsdichte sowie verbesserter Systemzuverlässigkeit.“ 

Im Gegensatz zu herkömmlichen Leistungsschaltern vereinen monolithische GaN-BDS die bidirektionale Spannungsblockade und die Stromleitung in einem einzigen Bauelement. Das ermöglicht einfachere Leistungsstufen mit weniger Komponenten und unterstützt den Hochfrequenzbetrieb, der erforderlich ist, um die Leistungsdichte zu erhöhen und die Größe magnetischer Komponenten zu reduzieren. Die höhere Sperrspannung ermöglicht es Entwicklern, höhere Systemspannungen mit weniger Stromwandlungsstufen zu bewältigen, was den Übergang zu 800-V- und zukünftigen 1.500-VDC-Stromverteilungsarchitekturen unterstützt.

Im Rahmen der Zusammenarbeit übernahm Enphase die Entwicklung sowie die Demonstration auf Systemebene und konnte dabei auf mehr als zehn Jahren eigener Forschung im Bereich GaN-basierter Stromwandlung aufbauen. Infineon unterstützte mit Bauteil-Technologie und Engineering-Know-how. Die beiden Unternehmen hatten bereits bei der 650-V-GaN-BDS-Technologie für die Enphase IQ9™ Microinverter zusammengearbeitet. Die neuen 900-V-GaN-BDS-Bauteile wurden erfolgreich getestet und werden derzeit in die Produktentwicklung des IQ SST von Enphase integriert. Die Produktionsqualifizierung soll im nächsten Schritt erfolgen.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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SSTs entwickeln sich zu einem zentralen Baustein künftiger Stromverteilungsarchitekturen, bei denen Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit entscheidende Anforderungen sind

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