인피니언 CoolGaN™ BDS 40V G3 제품군, 휴대용 전원 설계에서 최대 82% 풋프린트 감소

Press Release

May 26, 2026

2026년 5월 26일, 서울 – 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 CoolGaN™ BDS 40V G3 양방향 스위치 제품군에 IGK048B041S와 IGK120B041S를 추가했다. 신제품은 PCB 풋프린트를 최대 82%까지 줄이고, 부품 수는 절반으로 감소시킨다. 스마트폰, 노트북, 웨어러블 등 공간 제약이 심한 디바이스를 설계하는 엔지니어에게 이는 매우 중요하고 실질적인 개선이다. 소형 컨슈머 디바이스를 위해 개발된 신제품은 성능 저하 없이 효율을 최적화하고 설계를 간소화할 수 있는 큰 유연성을 제공한다.

인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼(Johannes Schoiswohl)은 “컨슈머 디바이스가 점점 소형화되는 동시에 전력 소모는 증가함에 따라, 엔지니어들은 더 적은 자원으로 더 많은 성능을 구현해야 하는 압박을 받고 있다. 새로운 CoolGaN BDS 제품은 이러한 과제를 직접 해결한다. 각 디바이스는 두 개의 백투백 실리콘 MOSFET 기능을 하나의 부품에 통합해 부품 수를 절반으로 줄이고 PCB 레이아웃을 단순화한다. 기존 드라이버 레이아웃을 그대로 활용할 수 있어 재설계 비용을 줄이고, 개발 기간을 단축할 수 있다.”라고 말했다.

BDS 디바이스는 다른 GaN 제품과 마찬가지로 5V 게이트 구동과 호환된다. WLCSP 칩 스케일 패키지(2.1 x 2.1 mm² 및 1.7 x 1.2 mm²)로 제공되며, 스마트폰, 노트북, 웨어러블 기기의 제한된 공간에 최적화되어 있다. IGK048B041S는 4.2mΩ의 RDD(on)을, IGK120B041S는 9mΩ의 RDD(on)을 제공한다. 또한 스위칭 및 누설 성능에서도 우수한 특성을 보인다. 게이트 전하는 경쟁 제품 대비 약 40% 낮아 더 빠른 스위칭, 감소된 스위칭 손실, 고속 충전 애플리케이션에서 향상된 시스템 효율을 지원한다. 드레인-드레인 누설 전류는 경쟁 제품 대비 85% 이상 낮아 GaN 기술의 우수성을 보여준다. 이러한 특성은 발열을 줄이고 장기 신뢰성을 향상시키며, 강화되는 안전 요구사항 대응에 기여한다.

실리콘 MOSFET이 바디 다이오드로 인해 의도치 않은 전류 흐름이 발생할 수 있는 반면, CoolGaN BDS는 전압과 전류를 양방향으로 차단할 수 있다. 이러한 양방향 차단 기능은 스마트폰 및 휴대용 기기의 USB 과전압 보호와 같은 역전류 차단이 중요한 애플리케이션에서 핵심적인 역할을 한다. 또한 이 소자는 여러 전원 레일에서 전류 방향을 정밀하게 제어해야 하는 멀티 레일 전원 아키텍처에서 로드 스위칭 및 파워 멀티플렉싱에도 적합하다.

인피니언은 지난 1년간 40개 이상의 GaN 신제품을 발표하며 광범위한 포트폴리오를 구축했고, 고품질 GaN 솔루션을 찾는 고객의 주요 파트너로 자리매김하고 있다. 또한 300mm 웨이퍼 기반의 확장 가능한 GaN 생산을 추진 중이며, 이미 초기 샘플을 고객사에 공급하고 있다. 300mm GaN은 생산 용량 확대와 고품질 제품의 빠른 공급을 가능하게 해 GaN 시장에서 인피니언의 경쟁력을 더욱 강화한다.

공급 정보

IGK048B041S와 IGK120B041S는 현재 공급되고 있다. 제품 상세 정보와 데이터시트, 주문 관련 내용은 해당 웹사이트에서 확인할 수 있다.

보도자료 사진

인피니언 CoolGaN BDS 40 V G3 제품군은 컴팩트한 웨어러블 기기부터 고성능 노트북에 이르기까지 모바일 전력 스위칭의 다양한 요구를 충족한다.

인피니언 CoolGaN BDS 40 V G3 제품군은 컴팩트한 웨어러블 기기부터 고성능 노트북에 이르기까지 모바일 전력 스위칭의 다양한 요구를 충족한다.

The Infineon CoolGaN BDS 40 V G3 family addresses the full spectrum of mobile power switching requirements from compact wearables to high-performance notebooks.

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