인피니언, GaN 시장 AI·로보틱스 등 신규 애플리케이션 확대로 고성장 전망

Press Release

Feb 11, 2026
  • 갈륨 나이트라이드(GaN) 시장, 2030년까지 30억 달러 규모로 성장 전망
  • GaN 전력 반도체, AI·로보틱스·양자컴퓨팅 등 신규 시장으로 확대
  • 인피니언의 고전압 GaN 양방향 스위치, 더블 게이트 구조의 혁신적인 공통 드레인 설계 적용

2026년 2월 11일, 서울 – 전력 반도체 및 IoT 분야의 글로벌 리더 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 연례 보고서인 GaN 인사이트 2026을 발간하면서, GaN 기술의 현황과 적용 애플리케이션, 향후 전망을 제시했다.

시장 분석에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2030년까지 약 30억 달러 규모*로 성장할 것으로 예상된다. 2025년부터 본격화된 양산 확대를 기반으로, GaN은 기존 전력 변환 애플리케이션을 넘어 다양한 산업으로 빠르게 확산되고 있다. 시장 규모는 2026년 9억 2,000만 달러로 2025년 5억8400만 달러 대비 58% 성장*할 전망이다.

인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼(Johannes Schoiswohl)은 “GaN은 이미 다양한 산업에서 실질적인 시장 기술로 자리 잡았다. 인피니언은 제품에서 시스템으로(Product-to-System) 접근 방식과 선도적인 제조 역량, 폭넓은 GaN 포트폴리오를 기반으로 고객이 시장에서 성공하는 데 필요한 솔루션을 제공한다.”고 말했다.

GaN 제품 혁신

2026년에는 태양광 인버터와 전기차 온보드 충전기를 넘어 GaN 양방향 스위치(BDS)의 새로운 활용 사례가 확대될 것으로 예상된다. 인피니언의 고전압 GaN 양방향 스위치는 검증된 GIT(Gate Injection Transistor) 기술을 기반으로, 더블 게이트 구조의 혁신적인 공통 드레인 설계를 적용했다. 이 구조는 하나의 드리프트 영역으로 양방향 전압 차단이 가능해 기존 백투백(back-to-back) 구성 대비 다이(die) 크기를 크게 줄일 수 있다. 예를 들어 최대 1MHz로 동작하는 인피니언 CoolGaN BDS를 적용한 태양광 마이크로인버터는 동일한 크기에서 출력이 40% 증가하며, 시스템 비용도 절감할 수 있다.

신규 애플리케이션으로 확장되는 GaN 기술

GaN은 AI 데이터센터, 로보틱스, 전기차, 신재생에너지뿐 아니라 디지털 헬스, 양자컴퓨팅과 같은 신흥 분야로 적용 범위를 넓히고 있다. 특히 데이터센터에서 새로운 토폴로지를 적용한 GaN 기반 전원공급장치는 전례 없는 수준의 효율과 전력 밀도를 달성하며, 전력 손실을 30%까지 줄이고 효율적이고 컴팩트한 데이터센터 아키텍처를 구현할 수 있도록 한다. 휴머노이드 로봇에 적용되는 GaN 기반 모터 드라이브는 크기를 최대 40% 줄이면서 정밀한 동작 제어 성능을 향상시킨다.

인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN 전반에 걸쳐 혁신적인 솔루션을 제공하는 전력 반도체 분야의 글로벌 리더다. IDM(Integrated Device Manufacturing) 전략과 업계 최고 수준의 시스템 이해도를 바탕으로, 변화하는 산업 요구에 대응하는 첨단 기술을 제공한다. 300mm GaN 웨이퍼 제조 역량을 기반으로 한 인피니언의 GaN 제품은 탁월한 성능과 애플리케이션 차별화를 제공한다.

GaN 인사이트 eBook은 인피니언 웹사이트에서 다운로드할 수 있다: GaN 인사이트

*Yole Group: Power GaN 2025 Report. https://www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2025/

보도자료 사진

인피니언, GaN 시장 AI·로보틱스 등 신규 애플리케이션 확대로 고성장 전망

인피니언, GaN 시장 AI·로보틱스 등 신규 애플리케이션 확대로 고성장 전망

Infineon GaN Insights 2026: Technology innovations providing the pathway to surging GaN growth in power semiconductors

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Eun Jin Park

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