인피니언, 300mm 웨이퍼 기반 GaN 생산 가속화로 전력 반도체 시장 선도

Press Release

Jul 03, 2025

2025년 7월 3일, 서울 – 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 확장 가능한 300mm 웨이퍼 기반의 GaN(갈륨 나이트라이드) 생산이 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 2025년 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공하면서 인피니언은 고객 기반을 확대하고 선도적인 GaN 기업으로서의 입지를 강화할 것이다.

전력 시스템 분야를 선도하는 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 갈륨(GaN)의 세 가지 주요 반도체 재료를 모두 제공한다. GaN 반도체는 더 높은 전력 밀도, 더 빠른 스위칭 속도, 더 낮은 전력 손실을 통해 스마트폰 충전기, 산업용 및 휴머노이드 로봇, 태양광 인버터와 같은 전자 기기의 소형화를 가능하게 하며, 에너지 소비와 열 발생을 줄인다. 

인피니언의 제조 전략은 주로 IDM(종합 반도체 업체) 모델에 기반을 두고 있으며, 이는 설계부터 제조, 최종 제품 판매까지 반도체 생산 공정을 자체적으로 소유하는 것이다. 인피니언의 인하우스 생산 전략은 핵심적인 차별화 요소로, 고품질, 빠른 시장 출시 기간, 우수한 설계, 개발 유연성 등 다양한 이점을 제공한다. 인피니언은 GaN 고객 지원을 위해 최선을 다하고 있으며, 안정적인 GaN 전력 솔루션에 대한 고객의 수요를 충족시키기 위해 생산 용량을 확장할 수 있다.

인피니언은 기술 리더십을 바탕으로 기존 양산 인프라 내에서 300mm GaN 전력 웨이퍼 기술을 성공적으로 개발한 최초의 반도체 업체이다. 300mm 웨이퍼를 이용한 칩 생산은 기존 200mm 웨이퍼보다 기술적으로 더욱 발전되었으며, 웨이퍼 직경이 더 커서 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 훨씬 효율적이다.

시장 조사에 따르면 전력 애플리케이션 용 GaN 매출이 2030년까지 연간 36퍼센트 성장해 약 25억 달러에 달할 것으로 예상된다[1]. 제조 능력과 강력한 제품 포트폴리오를 갖추고 있는 인피니언은 지난 1년간 40개 이상의 새로운 GaN 제품을 출시하며, 고품질 GaN 솔루션을 찾는 고객들에게 선호되는 파트너로 자리매김하고 있다.

[1] Yole Group; Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor, Q1 2025

보도자료 사진

인피니언 GaN300 기술

인피니언 GaN300 기술

오스트리아 빌라흐 소재 인피니언 테크놀로지스의 클린룸에서 근무하는 기술 엔지니어가 300mm 갈륨 나이트라이드 웨이퍼를 들고 있는 모습

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Eun Jin Park

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