Infineon OptiMOS™ 7 40 V steigert Effizienz und Leistungsdichte von KI-Servern und Telekommunikationsanwendungen

Technology News

Nov 03, 2026

München, 03. November 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt ihr schaltoptimiertes OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFET-Portfolio für KI-Server, Rechenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur auf den Markt. Die für die hochfrequente DC-DC-Wandlung ausgelegten Bauelemente helfen Entwicklern, Effizienz und Leistungsdichte in platzbeschränkten Systemen zu verbessern. Zielanwendungen sind niederspannungsseitige Sekundärstufen von Hochvolt-Zwischenkreiswandlern (Intermediate Bus Converter, IBC) in entstehenden 800-V-DC-Architekturen sowie IBCs in 48-V-Stromversorgungsarchitekturen. In geeigneten Topologien werden Schaltfrequenzen jenseits von 1 MHz unterstützt.

„Mit dem OptiMOS 7 40 V geben wir Entwicklern einen MOSFET an die Hand, der Leitungs- und Schaltverluste gleichzeitig senkt, sodass sie die Leistungsdichte auf dem sehr begrenzten Platz eines KI-Servers erhöhen können“, sagt Richard Kuncic, Business Line Head Power Switches bei Infineon. „Er passt zur Sekundärseite entstehender 800-V-DC-Architekturen ebenso wie zu heutigen 48-V-Designs, sodass unsere Kunden in ihrem eigenen Tempo auf die nächste Architektur umsteigen können.“

Das OptiMOS 7 40 V Portfolio bringt Durchlasswiderstand (RDS(on)), Ausgangsladung (Qoss) und Gate-Ladung (Qg)in Einklang, um sowohl Leitungs- als auch Schaltverluste zu adressieren. Im Vergleich des Source-Down-Bauelements IQE010N04LM7CGSC mit seinem OptiMOS-6-Vorgänger IQE013N04LM6CGSC ist der maximale RDS(on), bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V um bis zu 33 Prozent reduziert. Die Gütezahlen (Figures of Merit) für Ausgangsladung und Gate-Ladung sinken jeweils um bis zu 35 Prozent. Die Bauelemente sind für eine 5-V-Gate-Ansteuerung optimiert, unterstützen Gate-Treiber-Ökosysteme, die auch mit GaN eingesetzt werden, und sind für Sperrschichttemperaturen bis 175 °C ausgelegt.

Source-Down-Gehäuse und Gehäuse mit doppelseitiger Kühlung bieten Flexibilität für kompakte Layouts und das Wärmemanagement. Die Typen IQE010N04LM7CG und IQE010N04LM7CGSC werden in PQFN-Gehäusen (3,3 mm × 3,3 mm) in Source-Down-Bauweise mit zentralem Gate angeboten, mit Overmold- und doppelseitig gekühlten Varianten. Beide weisen einen maximalen RDS(on) von 1,0 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V auf. Zum Portfolio gehören außerdem die Typen ISCH65N04LM7SC, ISCH69N04LM7SC und ISC011N04LM7SC in PQFN-Gehäusen (5 mm × 6 mm) in Drain-Down-Bauweise mit doppelseitiger Kühlung. Ihre maximalen RDS(on)-Werte betragen bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V jeweils 0,65 mΩ, 0,69 mΩ bzw. 1,1 mΩ.

Verfügbarkeit
Das schaltoptimierte OptiMOS 7 40 V MOSFET-Portfolio ist verfügbar und in Serienproduktion. Weitere Informationen finden Sie hier. Die Application Note enthält Anwendungsbeispiele und detaillierte Leistungsvergleiche.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Pressefotos

Das OptiMOS-7-40-V-Portfolio von Infineon gleicht Durchlasswiderstand, Ausgangsladung und Gate-Ladung aus und senkt so sowohl Leitungs- als auch Schaltverluste.

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Michael Burner

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