Infineon erweitert das Automotive-MOSFET Portfolio in OptiMOS™ 7 im TOLL-Gehäuse mit extrem niedrigem Durchlasswiderstand

Technology News

Oct 27, 2026

München, 27. Oktober 2026 – Die Infineon Technologies AG hat neue OptiMOS™ 7 Automotive-MOSFETs vorgestellt, die das etablierte TOLL-Gehäuse auf ein neues Leistungsniveau heben. Infineon kombiniert die neueste OptiMOS 7 Halbleitertechnologie mit einer Clip-basierten Verbindungstechnik und erreicht so in der bewährten, 10 × 12 mm² großen TOLL-Bauform einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand. Damit sind Kunden aus der Automobilindustrie in der Lage, die steigenden Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz in 12-V- und 48-V-Systemen zu erfüllen, ohne auf größere Gehäuse zu wechseln oder ihr Leiterplattenlayout zu überarbeiten. Dank Bestwerten beim Durchlasswiderstand senken die neuen Bauteile die Verlustleistung und machen Stromversorgungssysteme im Fahrzeug leistungsfähiger.

Mit der fortschreitenden Elektrifizierung von Fahrzeugen wächst der Bedarf an effizienteren, kompakteren und leistungsstärkeren Stromversorgungssystemen. Automotive-Ingenieure stehen dabei vor einer Designherausforderung: Die Anforderungen an Leistung und Effizienz steigen, doch größere Gehäuse erhöhen die Kosten, benötigen mehr Platz auf der Leiterplatte und machen das Design komplexer. Hier setzen die neuen OptiMOS 7 TOLL-Bauteile an. Sie senken die Leitungsverluste bei gleichem Formfaktor deutlich und verbinden so hohe elektrische Leistung mit Designkontinuität.

Die neuen MOSFETs in 40 V, 80 V und 100 V erreichen RDS(on)-Werte von 0,24 mΩ, 0,57 mΩ bzw. 0,88 mΩ in der jeweiligen Spannungsklasse. Gegenüber den OptiMOS™ TOLL-Referenzprodukten der Vorgängergeneration verringert sich der Durchlasswiderstand damit deutlich um jeweils 65 Prozent, 48 Prozent bzw. 37 Prozent. Die Kombination aus OptiMOS 7 Technologie und Clip-basierter Verbindungstechnik verbessert zudem die Kapazitäts- und Gate-Ladungseigenschaften und senkt so neben den Leitungsverlusten auch die Schaltverluste. Ein deutlich engerer Streubereich der Gate-Schwellenspannung sorgt dafür, dass sich der Strom bei parallel geschalteten Bauteilen gleichmäßiger verteilt. Das verringert das Risiko, dass ein einzelner MOSFET Schaden nimmt.

Mit diesem Leistungssprung können Kunden verlustärmere Hochstrom-Leistungsstufen für Fahrzeuge  im bereits verwendeten Gehäuse realisieren. Je nach Systemprioritäten lässt sich der extrem niedrige RDS(on) nutzen, um die Effizienz zu steigern, die Wärmeentwicklung zu senken, eine höhere Stromtragfähigkeit zu erreichen oder weniger MOSFETs parallel zu schalten. Dadurch gewinnen sie Spielraum beim Design, ohne ihr bestehendes System anpassen zu müssen.

Die neuen Bauteile sind für 12-V- und 48-V-Hochleistungsanwendungen wie elektrische Servolenkungen (EPS), Batterietrennschalter, Motorantriebe und HV-LV-DC-DC-Wandler ausgelegt. In diesen Anwendungen beeinflussen die Leitungsverluste direkt die Systemeffizienz und das Thermomanagement. Da die OptiMOS 7 Bauteile in dieser etablierten Bauform mehr nutzbare Leistung ermöglichen, helfen sie Entwicklern, ihre Systeme zur Stromverteilung und -wandlung für die nächste Generation elektrischer und teilelektrifizierter Fahrzeuge zu optimieren.

Verfügbarkeit
Produkte sind verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/toll.

Infineon auf der electronica 2026 
Auf der diesjährigen electronica in München präsentiert Infineon Halbleiterinnovationen und Systemlösungen für das KI-Zeitalter. Intelligenz verlagert sich zunehmend von der Cloud in Maschinen, Fahrzeuge, industrielle Systeme und Alltagsgeräte. Mit Technologie von Infineon können diese ihre Umgebung wahrnehmen, Daten verarbeiten, sich vernetzen und sicher, zuverlässig sowie energieeffizient handeln. Auf der electronica 2026 zeigt Infineon Technologien und Lösungen für Physische KI in der Robotik, intelligente Edge-Geräte, softwaredefinierte elektrische Fahrzeuge und die Stromversorgung der Zukunft von der erneuerbaren Erzeugung bis hin zu KI-Rechenzentren. Vom 10. bis 13. November präsentiert Infineon in Halle C3, Stand 502 innovative und energieeffiziente Lösungen für eine zunehmend intelligente und vernetzte Welt. Weitere Informationen sind unter www.infineon.com/electronica erhältlich. 

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Die neuen OptiMOS™ 7 Automotive-MOSFETs heben das etablierte TOLL-Gehäuse auf ein neues Leistungsniveau. Dank Bestwerten beim Durchlasswiderstand senken die neuen Bauteile die Verlustleistung und machen Stromversorgungssysteme im Fahrzeug leistungsfähiger.

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Oliver Scharfenberg

Spokesperson Automotive, ATV Division (interim)

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