Infineon und Eaton nutzen Siliziumkarbid-Technologie zur Weiterentwicklung von Solid-State-Transformern für 800-VDC- KI-Rechenzentren

Wirtschaftspresse

Sep 29, 2026
  • Infineon und Eaton treiben gemeinsam Solid-State-Transformer (SST)-Technologie voran
  • Zusammenarbeit adressiert die Nachfrage nach effizienteren Lösungen zur Stromumwandlung in KI-Rechenzentren
  • Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Infineon verbessern Effizienz, Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit der SST-Plattform von Eaton

München, 29. September 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter an Eaton, ein Unternehmen für intelligentes Energiemanagement, für dessen Medium-Voltage-Solid-State Transformer (MVSST) 2.0-Plattform. Die Plattform ist für den Einsatz in der APAC‑Region ausgelegt. Die Zusammenarbeit soll die Effizienz und Zuverlässigkeit der Energieumwandlung steigern, die für die Anbindung von KI-Rechenzentren an das Stromnetz erforderlich ist. Im Fokus stehen dabei 800-Volt-Gleichstromarchitekturen (VDC) für Rechenzentren. 

Der rasante Ausbau von KI-Rechenzentren und ihr steigender Strombedarf erhöhen die Nachfrage nach effizienteren Lösungen für die Netzanbindung hochdichter Recheninfrastrukturen. Gleichzeitig beschleunigen Fortschritte in der Mittelspannungs-Gleichstromverteilung den Bedarf an Stromumwandlungslösungen der nächsten Generation, die Effizienz, Leistungsdichte, Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit weiter verbessern. 

„Da der Energiebedarf von KI-Rechenzentren und industriellen Anwendungen weiter steigt, wächst auch die Nachfrage nach effizienten, zuverlässigen und nachhaltigen Lösungen zur Stromumwandlung“, sagt Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon. „Gemeinsam mit Eaton wollen wir die Solid-State-Transformer-Technologie vorantreiben und zur Entwicklung einer skalierbaren, effizienteren und nachhaltigeren Infrastruktur beitragen, um die KI-Rechenzentren der Zukunft mit Strom zu versorgen.“ 

„Die Anforderungen an Energieeffizienz, Systemzuverlässigkeit und Skalierbarkeit in KI-Rechenzentren nehmen stetig zu. Deshalb treiben wir die Weiterentwicklung und Verbreitung der SST-Technologie gezielt voran, um einen Mehrwert für Betreiber von Rechenzentren und Stromnetzen sowie für Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien zu schaffen“, sagt David Zheng, Vice President of R&D for Power Quality APAC bei Eaton. „Die fortschrittliche SiC-Technologie von Infineon unterstützt uns dabei, den Einsatz dieser Stromversorgungsarchitekturen zu beschleunigen.“ 
 
Die MVSST 2.0-Plattform von Eaton wurde für hochdichte Recheninfrastrukturen und aufkommende 800-VDC-Stromverteilungsarchitekturen in KI-Rechenzentren entwickelt. Im Vergleich zu herkömmlichen Architekturen reduziert sie die Anzahl der Umwandlungsstufen und verbessert dadurch Effizienz, Leistungsdichte und Flexibilität bei der Implementierung. Als eine der ersten Mittelspannungs-SST-Plattformen mit Zertifizierung nach IEC-Normen  kombiniert sie fortschrittliche Siliziumkarbid-Technologie mit der Expertise von Eaton in den Bereichen Stromverteilung und -umwandlung, um die Energieinfrastrukturen der nächsten Generation zu unterstützen.
 
Mit Blick auf die Zukunft prüfen Eaton und Infineon die Entwicklung von SST-Plattformen auf Basis von 2,3 kV- und 3,3 kV-SiC-Leistungsmodulen. Diese sollen höhere Systemspannungen, eine noch bessere Effizienz sowie eine gesteigerte Zuverlässigkeit für zukünftige KI-Rechenzentren, die Modernisierung von Stromnetzen und Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien ermöglichen.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer Industrial & Infrastructure bei Infineon

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Veronika Seifried

Spokesperson Industrial and Infrastructure, GIP Division

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