Infineon stärkt Position als führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt mit 300-Millimeter-Fertigung nach Plan

Wirtschaftspresse

Jul 02, 2025

München, Villach – 2. Juli 2025 – Um der steigenden Nachfrage nach Galliumnitrid-(GaN)-Halbleitern zu begegnen und von diesem Trend zu profitieren, stärkt die Infineon Technologies AG ihre Position als führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt weiter. Heute gab das Unternehmen bekannt, dass seine Umsetzung der skalierbaren GaN-Fertigung auf 300-Millimeter-Wafern im Zeitplan liegt. Mit ersten Samples, die Kunden im 4. Quartal 2025 zur Verfügung stehen, ist Infineon in einer starken Position, um seine Kundenbasis zu erweitern und seinen Status als führendes GaN-Powerhouse weiter zu festigen.

Als Marktführer im Bereich Leistungselektronik beherrscht Infineon alle drei relevanten Materialien: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid. Durch höhere Leistungsdichte, schnellere Schaltzeiten und geringere Leistungsverluste ermöglichen GaN-Halbleiter kleinere Designs und reduzieren den Energieverbrauch sowie die Wärmeentwicklung in elektronischen Geräten wie Smartphone-Ladegeräten, Industrie- und Humanoiden Robotern oder Solarwechselrichtern.

„Mit einer vollständig hochskalierten 300-Millimeter-GaN-Fertigung werden wir unseren Kunden höchste Qualität noch schneller liefern können, während wir auf eine Kostenparität für vergleichbare Silizium- und GaN-Produkte zusteuern“, sagt Johannes Schoiswohl, Leiter der GaN-Business-Line bei Infineon. „Fast ein Jahr nach der Ankündigung des Durchbruchs von Infineon bei der 300-Millimeter-GaN-Wafer-Technologie sind wir erfreut, dass unser Übergangsprozess voll im Plan liegt. Die Branche hat die Bedeutung von Infineons GaN-Technologie, die durch die Stärke unserer IDM-Strategie ermöglicht wird, anerkannt.“

Die Fertigungsstrategie von Infineon basiert in erster Linie auf einem IDM-Modell, bei dem das Unternehmen den gesamten Halbleiterfertigungsprozess, von der Entwicklung bis zur Fertigung und zum Verkauf des Endprodukts, besitzt. Die sogenannte In-House-Fertigungsstrategie des Unternehmens ist ein wichtiger Unterschied im Markt, der Vorteile wie eine hohe Qualität, schnellere Produkteinführung sowie eine einzigartige Design- und Entwicklungsflexibilität bietet. Infineon hat das klare Ziel, seine GaN-Kunden zu unterstützen und kann die Kapazitäten für aktuelle Kundenbedürfnisse nach zuverlässigen und hochwertigen GaN-Leistungsprodukten bereitstellen.

Aufbauend auf seiner technologischen Führungsposition ist Infineon der erste Halbleiterhersteller, der erfolgreich Leistungswafer-Technologie auf einer Größe von 300 Millimetern innerhalb seiner bestehenden Hochvolumen-Fertigungsinfrastruktur entwickelt hat. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technisch fortgeschrittener und wesentlich effizienter als auf etablierten 200-Millimeter-Wafern. Der größere Waferdurchmesser ermöglicht es, 2,3-mal mehr Chips pro Wafer zu produzieren. Dieses Know-How in Kombination mit Infineons herausragendem Team von GaN-Experten und dem breitesten IP-Portfolio der Branche sind erforderlich, da GaN-Leistungshalbleiter vermehrt in industriellen und automobilen Anwendungen eingesetzt werden. Zu den weiteren GaN-Zielapplikationen gehören Verbraucher-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen wie Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter oder Motorsteuerungssysteme.

Marktanalysten erwarten, dass der GaN-Umsatz für Leistungsanwendungen bis 2030 um 36 Prozent pro Jahr auf etwa 2,5 Milliarden US-Dollar steigen wird [1]. Infineons dedizierte Fertigungskapazitäten und ein starkes Portfolio mit mehr als 40 neuen GaN-Produktankündigungen im letzten Jahr, machen das Unternehmen zu einem bevorzugten Partner für Kunden, die nach hochwertigen GaN-Lösungen suchen.

[1] Yole Group ; Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor, Q2 2025

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Über Infineon Austria

Die Infineon Technologies Austria AG (kurz Infineon Austria) ist ein Tochterunternehmen der Infineon Technologies AG, einem weltweit führenden Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Halbleiter sind essenziell, um die energiebezogenen Herausforderungen unserer Zeit zu meistern und die digitale Transformation mitzugestalten. Mikroelektronik von Infineon treibt die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran und ermöglicht wegweisende Lösungen für grüne und effiziente Energie, saubere und sichere Mobilität sowie ein intelligentes und sicheres IoT.

Infineon Austria bündelt die Kompetenzen für Forschung und Entwicklung, Fertigung sowie globale Geschäftsverantwortung. Der Haupt­sitz befindet sich in Villach, weitere Niederlassungen in Graz, Klagenfurt, Linz, Innsbruck und Wien. Mit 5.977 Beschäftigten (davon rund 2.500 in Forschung und Entwicklung) aus 78 Nationen erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2024 (Stichtag: 30. September) einen Umsatz von 4,8 Milliarden Euro. Mit einem Forschungsaufwand von 686 Millionen Euro ist Infineon Austria das forschungsstärkste Unternehmen Österreichs.

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Infineon GaN 300-millimeter Technology

Infineon GaN 300-millimeter Technology

Infineon has become the first semiconductor manufacturer to successfully develop 300-millimeter GaN power wafer technology within its existing high-volume manufacturing infrastructure.

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