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Infineon vereinfacht den Einsatz von GaN mit integrierten Halbbrückenlösungen und bringt CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 auf den Markt

Market News

Feb 26, 2026

München, 26. Februar 2026 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr CoolGaN™-Portfolio um die CoolGaN Drive HB 600 V G5-Familie. Jedes der vier neuen Bauteile – IGI60L1111B1M, IGI60L1414B1M, IGI60L2727B1M und IGI60L5050B1M – kombiniert zwei 600-V-GaN-Schalter in einer Halbbrückenkonfiguration mit integrierten High- und Low-Side-Gate-Treibern sowie einer Bootstrap-Diode. Dadurch entsteht eine kompakte, thermisch optimierte Leistungsstufe, die das Design vereinfacht. Durch die Integration wichtiger Funktionen in einem optimierten Gehäuse verringert die Produktfamilie die Anzahl externer Komponenten und erleichtert das bei schnell schaltenden GaN-Bauteilen typischerweise anspruchsvolle PCB-Layout. Zudem unterstützen die Produkte Entwickler dabei, Entwicklungszyklen zu verkürzen und gleichzeitig die wesentlichen Vorteile der GaN-Technologie, wie höhere Schaltfrequenzen, geringere Schalt- und Leitungsverluste sowie eine höhere Leistungsdichte, voll auszuschöpfen.

„GaN verändert die Energieumwandlung, und Infineon setzt alles daran, diesen Wandel mit skalierbaren und benutzerfreundlichen Lösungen für Kunden voranzutreiben“, sagt Johannes Schoiswohl, Leiter des Geschäftsbereichs GaN bei Infineon. „Mit unseren neuen integrierten Lösungen verbinden wir die hohe Leistungsfähigkeit von GaN mit einem hohen Maß an Integration und Robustheit, was es Entwicklern ermöglicht, schneller voranzukommen, ihre Systeme zu verkleinern und die Effizienz zu steigern – und so die Grenzen des Machbaren in der kompakten Leistungselektronik weiter zu verschieben.“

Die integrierte Halbbrücke ist für Motorantriebssysteme mit geringem Energiebedarf und für Schaltnetzteile ausgelegt. Sie ermöglicht kleinere magnetische und passive Komponenten, einen höheren Wirkungsgrad unter allen Betriebsbedingungen sowie eine verbesserte dynamische Leistung in Designs mit begrenztem Platzangebot. Das für hohe Präzision bei hohen Geschwindigkeiten entwickelte Bauteil erreicht eine ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit mit einer Ausbreitungsverzögerung von 98 ns und minimaler Fehlanpassung. Es unterstützt einen effizienten Hochfrequenzbetrieb und sorgt gleichzeitig für ein vorhersagbares Timing-Verhalten. Zur vereinfachten Systemintegration verfügt die Halbbrücke über einen PWM-Eingang, der mit Standard-Logikpegeln kompatibel ist, und lässt sich mit einer einzigen 12-V-Gate-Treiber-Versorgung betreiben. Die schnelle Erholung nach Unterspannung (Undervoltage Lockout; UVLO) sorgt zudem für ein robustes Verhalten beim Start und bei kurzzeitigen Versorgungsunterbrechungen. Für eine hervorragende thermische Leistung sind die Produkte in einem 6 x 8 mm² großen TFLGA-27-Gehäuse mit freiliegenden Pads untergebracht, was eine effiziente Wärmeverteilung ermöglicht und in vielen Anwendungen den Betrieb ohne Kühlkörper unterstützt.

Mit den neuen Lösungen, bei denen die bewährte CoolGaN-Bauteiltechnologie mit Systemintegration und fundiertem Know-how im Bereich der Energieumwandlung kombiniert wird, baut Infineon ihre starke Position auf dem GaN-Markt weiter aus. So können Kunden GaN ohne Bedenken einsetzen und hocheffiziente Designs für Industrie- und Unterhaltungselektronikplattformen skalieren.

Verfügbarkeit
Weitere Informationen sind hier erhältlich.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.