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Infineon CoolGaN™ G5-Transistoren werden von Chicony Power für Hochleistungsadapter führender Notebook-Hersteller eingesetzt

Market News

Mar 06, 2026

München, 6. März 2026 — Die Infineon Technologies AG gab heute bekannt, dass Chicony Power, der weltweit führende Hersteller von Notebook-Netzteilen, die CoolGaN™ G5-Transistoren des Unternehmens ausgewählt hat, um Laptop-Netzteile für die Notebooks eines führenden Kunden zu betreiben. Das Design zeigt, wie Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (GaN) den Übergang zu kompakteren, energieeffizienten Ladelösungen beschleunigen und kleinere Bauformen sowie eine verbesserte Nachhaltigkeit für Mainstream-Computing ermöglichen.

Im Mittelpunkt des neuen Netzteil-Designs stehen die CoolGaN G5-Transistoren von Infineon, die für schnelles Schalten und geringe Leitverluste über einen weiten Betriebsbereich ausgelegt sind. Hochvolt-(HV)-GaN-Transistoren verfügen über ein leistungsstarkes Basisdesign namens Hybrid-Drain GIT (Gate Injection Transistor), das eine besonders robuste HV-Gate-Funktionalität, eine hohe dynamische Rds(on)- und Hard-Switching-Performance sowie einen deutlich höheren Sättigungsstrom bietet – alles zusammen resultiert in einer insgesamt bestmöglichen Zuverlässigkeit. Aufbauend auf dieser Grundlage bietet die neueste HV-Familie, die G5-Transistoren, eine um bis zu 30 Prozent bessere Performance bei standardmäßigen Gütekennzahlen, z. B. R_ds(on)*Qg, im Vergleich zum Vorgänger.

„Die CoolGaN G5-Transistoren verkörpern unser Engagement für zuverlässige, leistungsstarke Leistungshalbleiter. Die Partnerschaft mit Chicony Power bei Netzteilen für Premiumkunden unterstreicht, wie GaN greifbare Vorteile für Endanwender ermöglicht – kleinere Baugröße, schnelleres Laden und geringerer Energieverbrauch – ohne Kompromisse bei der Robustheit“, sagt Johannes Schoiswohl, Leiter der GaN Business Line bei Infineon.

„Infineons CoolGaN G5-Transistoren geben uns den nötigen Design-Spielraum, um Leistungsdichte und Effizienz in einem kompakten Formfaktor weiter zu steigern. Diese Zusammenarbeit hilft dabei, Ladelösungen zu liefern, die dem hochklassigen Nutzererlebnis entsprechen, das unsere Notebook-Kunden erwarten“, sagt Yang Wang, VP R&D von Chicony Power.

Zu den technischen Highlights, die durch Chiconys Designkompetenz und den Einsatz der HV-G5-GaN-Transistoren von Infineon ermöglicht werden, zählen eine Hochfrequenz-Leistungsarchitektur mit optimierten PFC- und DC/DC-Stufen, die GaNs schnelle Schalteigenschaften nutzen, ein EMV-bewusstes Design, bei dem Layout, Filterung und Schaltprofile auf geringe Störabstrahlung und hohe Compliance-Reserven abgestimmt sind, sowie eine thermische Optimierung, die einen kühleren Betrieb und eine dauerhaft stabile Ausgangsleistung von 100–300 W in kompakten mechanischen Bauformen ermöglicht.

Infineon verfügt über ein starkes Portfolio mit mehr als 40 neuen GaN-Produktankündigungen im vergangenen Jahr und ist ein bevorzugter Partner für Kunden, die hochwertige GaN-Lösungen suchen. Das Unternehmen liegt mit der Implementierung einer skalierbaren GaN-Fertigung auf 300-Millimeter-Wafern im Plan; erste Muster werden bereits an Kunden ausgeliefert. 300-mm-GaN ermöglicht höhere Produktionskapazitäten und eine schnellere Lieferung hochwertiger GaN-Produkte, was Infineons Position im GaN-Markt weiter stärkt.

Verfügbarkeit

Weitere Informationen sind hier erhältlich.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.