인피니언의 XHP™ 2 CoolSiC™ 고출력 모듈, 고전압 에너지 시스템의 효율 및 전력 밀도 향상

Press Release

May 13, 2026

2026년 5월 13일, 서울 – 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 CoolSiC™ 2300V MOSFET 를 적용한 XHP™ 2 전력 모듈을 출시했다. 새로운 2300V 디바이스는 최대 1500V DC 링크 전압을 지원해 시스템 고전압화라는 업계 트렌드에 대응한다. 

신제품은 1mΩ~2mΩ의 온저항(RDS(on)) 값과 4kV 또는 6kV의 절연 전압을 제공하는 다양한 옵션으로 제공된다. 실리콘 카바이드(SiC) 기술을 적용해 기존 실리콘 기반 솔루션 대비 스위칭 손실과 도통 손실을 줄였으며, 이를 통해 인버터는 더 높은 효율과 전력 밀도를 달성하거나, 더 높은 스위칭 주파수에서 작동하여 고조파를 줄이고 시스템 크기를 줄일 수 있다. XHP 2 CoolSiC MOSFET 모듈은 풍력, 태양광, 배터리 저장 시스템 등 신재생에너지 애플리케이션에 적합하다.

XHP 2 패키지로 구현된 이 모듈은 대형 전력 변환기에서 병렬 구성이 용이한 대칭 스위칭 동작을 특징으로 하며, 애플리케이션 요구에 따라 효율과 성능 간 균형을 조정할 수 있는 표준화된 플랫폼을 제공한다. 모든 제품에는 인피니언의 검증된 .XT 인터커넥션 기술이 적용되어 신뢰성을 높이고 동작 수명을 연장한다. 또한 사전 도포된 열전도 인터페이스 소재(TIM) 옵션을 제공해 조립을 단순화하고 일관된 열 성능을 지원한다.

이러한 특성은 시스템 레벨의 성능 개선으로 이어진다. 풍력 발전 데모 시스템에서는 300kW/L의 전력 밀도를 달성했으며, 배터리 저장 시스템 테스트에서는 반도체 손실이 출력 전력 대비 0.7% 미만으로 나타났다. 

https://www.infineon.com/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules

보도자료 사진

인피니언의 XHP™ 2 CoolSiC™ 고출력 모듈, 고전압 에너지 시스템의 효율 및 전력 밀도 향상

인피니언의 XHP™ 2 CoolSiC™ 고출력 모듈, 고전압 에너지 시스템의 효율 및 전력 밀도 향상

Infineon expands its XHP™ 2 power module portfolio with new variants incorporating CoolSiC™ MOSFETs 2300 V

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Eun Jin Park

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