Infineon liefert Siliziumkarbid-Technologie an Fox ESS und steigert die Effizienz von Energiespeichersystemen für Privathaushalte

Technology News

Aug 26, 2026

München, 26. August 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter an Fox ESS, einen führenden Anbieter von Lösungen für erneuerbare Energien, um die Effizienz seiner Energiespeichersysteme (ESS) für Privathaushalte zu steigern. Mithilfe der CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 von Infineon im Q-DPAK-Gehäuse konnte Fox ESS die Schaltverluste um 70 Prozent reduzieren. Dadurch erreicht das Energiespeichersystem PQ3-Ultra im netzgekoppelten Betrieb einen Spitzenwirkungsgrad des Photovoltaik (PV)-Wechselrichters von bis zu 98,78 Prozent und einen Spitzenwirkungsgrad beim Laden und Entladen der Batterie von bis zu 98,47 Prozent.

„Mit unseren SiC-MOSFETs im Q-DPAK-Gehäuse ermöglichen wir ein neues Level an Effizienz, thermischer Leistung und Designflexibilität für Energiespeichersysteme in Privathaushalten“, sagt Amit Raut, Application Manager Photovoltaic and Residential ESS bei Infineon. „Fox ESS zeigt, wie fortschrittliche SiC-Technologie messbare Verbesserungen auf Systemebene erzielen und die breite Einführung von Lösungen für saubere Energie in Haushalten weltweit unterstützen kann.“

„Die Zusammenarbeit mit Infineon ist ein zentraler Bestandteil unserer Strategie, leistungsstarke Energiespeicherlösungen anzubieten“, sagt Daniel Deng, R&D Director bei Fox ESS. „Die CoolSiC-Technologie von Infineon bietet herausragende Effizienz und Zuverlässigkeit – Werte, die perfekt zu unserer Philosophie passen. Gemeinsam werden wir die Leistung von Energiespeichersystemen für Privathaushalte weiter verbessern und die Verbreitung erneuerbarer Energien beschleunigen.“ 

Im Energiespeichersystem von Fox ESS sorgen die CoolSiC MOSFETs 1200 V G2 von Infineon im oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse für optimierte thermische Leistung, Systemeffizienz und Leistungsdichte. Die Bauteile wurden speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Dank der fortschrittlichen .XT-Verbindungstechnologie von Infineon reduzieren sie den thermischen Widerstand und die Sperrschichttemperatur, während die Trench-Gate-Architektur zur Verringerung der Schaltverluste beiträgt. Im Vergleich zu herkömmlichen, unterseitig gekühlten Designs ermöglicht das Q-DPAK-Gehäuse ein verbessertes Leiterplattenlayout. Dadurch lassen sich parasitäre Effekte und Streuinduktivität reduzieren. Gleichzeitig wird das Wärmemanagement optimiert. Die kompakte Bauform unterstützt platzsparende Systemdesigns, während die Kompatibilität mit automatisierten Fertigungsprozessen eine kosteneffiziente und skalierbare Produktion vereinfacht.

Für seine hybride ESS-Lösung, die den PQ-H3-Ultra-10.0-Wechselrichter mit der EQ3300-5-Batterie kombiniert, erzielte Fox ESS in einem aktuellen Test der HTW Berlin in Zusammenarbeit mit AQUU Research einen System Performance Index (SPI) von 97,0 Prozent. Damit belegt Fox ESS in der 10-kW-Klasse den ersten Platz unter allen im Jahr 2026 getesteten Hybrid-Wechselrichter- und Speichersystemen und erreicht den höchsten SPI-Wert seit Beginn der Stromspeicher-Inspektion im Jahr 2018. In den vergangenen drei Jahren hat Fox ESS mehr als 890.000 PV-Wechselrichter und über eine Million Batterien in mehr als 70 Ländern installiert. 

Die Zusammenarbeit unterstreicht das gemeinsame Engagement beider Unternehmen, hocheffiziente und zuverlässige Energielösungen für Privathaushalte weltweit voranzutreiben.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Pressefotos

Die CoolSiC MOSFETs 1200 V G2 von Infineon im oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse sorgen für optimierte thermische Leistung, Systemeffizienz und Leistungsdichte.

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Für sein Energiespeichersystem PQ3-Ultra erzielte Fox ESS in einem aktuellen Test der HTW Berlin in Zusammenarbeit mit AQUU Research einen SPI von 97,0 Prozent.

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Veronika Seifried

Spokesperson Industrial and Infrastructure, GIP Division

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