Infineon stellt weltweit erstes 24-kW-Battery-Backup-Unit-Referenzdesign für Hochspannung in KI-Rechenzentren vor

Market News

Jun 02, 2026

München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG präsentiert ein 24-kW-DC-DC-Referenzdesign für Battery Backup Units (BBU) in Hochspannungs-DC-Bus-Architekturen (HV) für KI-Rechenzentren. Das Design ist das weltweit erste seiner Art, das direkt von einem Batterie-Stack auf einen 800-V-DC-Bus arbeitet und dabei 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-Technologie (SiC) einsetzt. Es erreicht eine Leistungsdichte von 450 W/in³ und einen Wirkungsgrad von über 99 Prozent im gleichen physischen Formfaktor wie aktuelle Niederspannungs-BBU-Implementierungen (LV). Damit adressiert es einen zentralen Infrastruktur-Engpass, da Rechenzentren zunehmend auf Hochspannungs-DC-Verteilung umstellen.

„Die Stromversorgung von KI im großen Maßstab erfordert einen systemischen Ansatz, der jede Stufe der Leistungsversorgungskette optimiert – vom Netzanschluss bis zum Prozessorkern", sagt Magdalene Boebel, Senior Vice President und Business Line Head Power System ICs bei Infineon. „Unser 24-kW-Hochspannungs-BBU-Referenzdesign, das direkt auf einem 800-V-DC-Bus betrieben wird, setzt einen neuen Maßstab in Leistungsdichte und Effizienz und bietet Rechenzentrumsarchitekten eine vollständig integrierte Lösung, um die anspruchsvollsten KI-Infrastrukturanforderungen zu erfüllen."

Das Referenzdesign basiert auf einer mehrschichtigen, mehrphasigen nicht-isolierten Architektur, die gestapelte, verschachtelte und gekoppelte Boost- und Buck-Stufen kombiniert. Dieser Ansatz reduziert das Volumen magnetischer Komponenten direkt, ohne auf fliegende Kondensatoren angewiesen zu sein. Eine gemeinsam genutzte Schaltzweig-Topologie etabliert einen gemeinsamen Strompfad zwischen Lade- und Entladestufen und ermöglicht Zero-Voltage-Switching (ZVS) über den gesamten Betriebsbereich. Das Ergebnis sind reduziertes Stromripple, vollständig integrierte Magnetics und schnelle Transienten-Reaktion. Eigenschaften, die zunehmend kritisch werden, da die Leistungsaufnahme von KI-Servern dynamischer und schwerer vorhersehbar wird.

Das kompakte Modul misst 112 × 88 × 118 mm und integriert eine 24-kW-Hauptleistungsstufe mit einer 2,4-kW-Hilfsversorgung. Ladegerät- und Entladeblöcke teilen sich den EMI-Filter, die Kondensatoren und die Schutz-MOSFETs, was die Gesamtzahl der Komponenten reduziert. SiC-Sperrschicht-Gate-Feldeffekttransistoren (JFETs) bieten ORing- und Hot-Swap-Fähigkeit. Ein planarer Transformator in Kombination mit CoolSET™ realisiert das Hilfs-SMPS in einem kompakten und kosteneffizienten Formfaktor.

Die DC-DC-Umwandlungsstufe ist um den CoolSiC™ MOSFET IMT65R033M2H aufgebaut, ein 650-V-Bauelement, das für den bidirektionalen Buck-Boost-DC-DC-Betrieb in HV-BBU-Anwendungen qualifiziert ist. Seine geringen Leit- und Schaltverluste unterstützen Stufenwirkungsgrade von mehr als 99 Prozent und reduzieren die thermische Last auf Rack-Ebene. Bei Netzstörungen, Generatorumschaltungen oder Ausfällen überträgt das Bauelement Energie schnell zwischen dem HV-DC-Bus und der Batterie mit minimalen Verlusten und verlängert so zuverlässig die Überbrückungszeit. Eine 650-V-Durchbruchspannung, eine robuste Body-Diode, eine Sperrschichttemperatur-Nennleistung von 175 °C und die .XT-Verpackungstechnologie bieten Widerstandsfähigkeit gegenüber Spannungsspitzen, hohen dv/dt-Transienten und kontinuierlichen thermischen Zyklen. Einheitliche Vgs(th)-Eigenschaften über alle Bauelemente hinweg vereinfachen das Mehrphasendesign und unterstützen redundante Rack-Konfigurationen. Diese Architektur ist im Infineon-Referenzdesign REF_12KW_HFHD_PSU dokumentiert, das den IMT65R033M2H in leistungsstarken DC-DC-Stufen für HV-BBU-Anwendungen auf Rack-Ebene demonstriert.

Die vollständige Stückliste umfasst folgende Infineon-Komponenten: CoolSiC MOSFET 650 V Generation 2 einschließlich des IMT65R033M2H, EiceDRIVER™ Gate-Treiber, TLE497x-Stromsensoren, PSOC™ Performance Line MCU, CoolSET IC für das Hilfs-SMPS sowie einen 1,7-kV-SiC-MOSFET.

Weitere Design-Merkmale umfassen reduziertes Gleichtaktrauschen mit vernachlässigbaren Wechselstromkomponenten sowie vollständig integrierte Magnetics. Drei Leistungskarten stellen mechanische Verbindungen für die positive DC-, die negative DC- und die Mittelpunkt-Schiene bereit und dienen gleichzeitig als strukturelle Elemente der Baugruppe, was zur Gesamtkompaktheit der Lösung beiträgt. Der Übergang zu Hochspannungs-DC-Bus-Architekturen in Rechenzentren wird durch Effizienz- und Verteilungsverlustvorteile auf Rack- und Anlagenebene vorangetrieben. Battery Backup Units sind eine Schlüsselkomponente dieses Infrastrukturwandels und gewährleisten die kontinuierliche Stromversorgung von KI-Servern bei Netzereignissen. 

Das 24-kW-HV-BBU-Referenzdesign zeigt, wie SiC-basierte DC-DC-Umwandlung die Dichte-, Effizienz- und Zuverlässigkeitsanforderungen dieses Übergangs erfüllen kann. Infineons Portfolio aus Silizium (Si), SiC und Galliumnitrid (GaN) deckt die gesamte Leistungsversorgungskette vom Netz bis zum Prozessorkern ab.

Verfügbarkeit

Weitere Informationen zu Infineons Battery Backup Unit-Lösungen für KI-Rechenzentren, einschließlich technischer Dokumentation und Details zum Referenzdesign, sind unter www.infineon.com/bbu-ai verfügbar.

Infineon auf der PCIM 2026

Die PCIM Europe findet vom 9. bis 11. Juni 2026 in Nürnberg statt. Infineon präsentiert seine Produkte und Lösungen für Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470. Presseanfragen richten Sie bitte an media.relations@infineon.com. Branchenanalysten, die an einem Briefing interessiert sind, können sich per E-Mail an MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen zu den Messehighlights von Infineon auf der PCIM 2026 finden Sie unter www.infineon.com/pcim.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Follow us: Facebook - LinkedIn

Pressefotos

Infineon präsentiert ein 24-kW-DC-DC-Referenzdesign für Battery Backup Units in Hochspannungs-DC-Bus-Architekturen für KI-Rechenzentren

JPEG

2126x1196 px

Herunterladen
×
img-model

Information Number : infpss202606-093

avatar

Michael Burner

Spokesperson Consumer, Compute and Communication, PSS Division

+49 89 234 39300

E-Mail senden